立方氮化硼超高熱導率半導體的研究（CBN）

  熱導率是衡量材料導熱能力的核心物性。所有已知材料在室溫下的熱導率都分布在大約0.01—1000Wm-1K-1這一范圍。比如硅和銅的熱導率在100Wm-1K-1這一數量級比較高，可以**幫助電腦和手機保持較低的工作溫度。然而，隨著**微電子芯片內部的熱流密度越來越高，為了保證**散熱，對于具有超高熱導率的材料的要求也越來越緊迫。

  鉆石在室溫下的熱導率大約是2000Wm-1K-1，自1953年至今，一直都是公認的熱導率高的塊材。然而**的鉆石既稀少又昂貴，不適合廣泛用于散熱。石墨是鉆石的同素異構體，其面向熱導率接近鉆石，價格也便宜很多，然而垂直面向的熱導率只有面向的1/300。人們探索室溫熱導率超過1000Wm-1K-1的超級導熱材料，已經有幾十年的歷史，然而一直沒有實質性的突破；直到2013年，基于一性原理的計算預測了半導體砷化硼晶體的熱導率可能與鉆石相當。這個預測很出乎意料，因為基于一些久經實驗檢驗的基本規律，至少自1973年以來，人們普遍認為砷化硼的熱導率只有大約200Wm-1K-1。緊接著，三個獨立研究組在2018年同時在國際**期刊Science報道了**砷化硼晶體的生長及其熱導率的實驗測量。高達約1200Wm-1K-1使得砷化硼成為熱導率高的非碳材料，在所有各向同性材料中僅次于鉆石。

  某研究員在研究期間，報道了有關新型超級導熱材料的新發現。這一次的超高熱導率材料是半導體立方氮化硼晶體。雖然室溫下天然同位素豐度的立方氮化硼晶體熱導率只有大約850Wm-1K-1，然而經過硼同位素的富集，在包含約99%的硼-10或硼-11的立方氮化硼晶體中，觀測到超過1600 Wm-1K-1的熱導率。這一數值大大超過砷化硼，也就意味著硼同位素富集的立方氮化硼晶體已經取代砷化硼，成為好的非碳及各向同性的導熱材料。同樣值得注意的是，實驗上通過同位素富集把熱導率提高約90%，這也是**觀測到的同位素熱效應。

  之所以能夠得到超高熱導率，主要是消除了天然豐度立方氮化硼晶體中，由于硼-10和硼-11兩種同位素混合而產生的對于熱流的阻力。一性原理計算揭示，立方氮化硼里這一巨大同位素效應的產生，主要是由于硼-10和硼-11這兩種同位素的相對質量差別較大，同為三五族半導體，砷化硼和磷化硼這兩種晶體與立方氮化硼**相似。然而對于砷化硼和磷化硼的實驗和理論研究只發現了很小的同位素效應。原來隨著與硼原子搭配的原子質量逐漸增大（從氮到磷再到砷），由于兩種硼同位素混合而存在的質量無序度變得越來越不重要；對于熱流來說，幾乎已經不可見了。

  立方氮化硼晶體具有超高的硬度和化學耐受力，用于機械加工，可以勝任很多鉆石工具難以工作的尖端制造環境（如高溫）。立方氮化硼還具有非常寬的能帶間隙，是制造紫外光電器件的上好材料。擁有如此**的力學、化學、電學以及光學性質，再加上如此少見的超高熱導率，立方氮化硼晶體在很多涉及大功率、高溫以及高光子能量的關鍵熱管理應用中前景廣闊。

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