銀酸鋰憶阻薄膜的制備分為兩個主要部分，一個是通過離子注入剝離技術(shù)從單晶塊材中剝離出一定厚度的片酸鋰單晶薄膜,并采用BCB膠將其鍵合到襯底上，具體的實施分為四個主要的步驟如下圖1所示,另一個是利用氬離子輻照的方式對薄膜進行處理，通過引入氧空位的方式使薄膜具有憶阻特性。因此這兩個部分主要用到高能離子注入技術(shù)和低能離子輻照技術(shù)。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

Cr摻雜ZnS的中間帶薄膜

銅鈷錫硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸銀復合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶態(tài)半導體薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低溫生長富砷的鎵砷銻薄膜

As摻雜碲鎘汞薄膜

鍺砷硒半導體薄膜

三硒化二鉍Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二鉍Bi2Te3薄膜

晶界調(diào)控n型碲化鉍薄膜

碲化鉍取向納米柱狀薄膜

碲化鉍納米薄膜

碲化鉍(Bi2Te3)化合物熱電薄膜

碲化鎘硅基薄膜

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化鎢固體潤滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

二碲化鈦(TiTe2)過渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復合薄膜

大尺寸單層硒分區(qū)摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡寫為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復合薄膜

多鐵性磁電復合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

yyp2021.3.31