圖1為單晶銅薄膜納米壓痕模擬的不同階段的圖像。其中圖1(a)是壓痕過程開始前的初始狀態(tài)，圖1(b)是壓痕過程的某一中間狀態(tài)，圖1(c)是**壓深狀態(tài)，圖1(d)是壓頭完全卸載后的狀態(tài)。從圖中可以看到，在加載過程中只有與金剛石壓頭接觸面上的幾個(gè)原子層發(fā)生了明顯的塑性變形，并被不斷的擠出表面，堆積于壓頭邊緣處，其它原子保持加載前的狀態(tài)不變。壓頭達(dá)到**壓入深度后，進(jìn)行卸載，壓頭向上抬起回到初始位置。對(duì)比可觀察到，試樣經(jīng)過少量的回彈恢復(fù)變形后，**在表面存留有一個(gè)明顯的凹坑，這是由于壓痕過程中發(fā)生了不可恢復(fù)的塑性變形。

圖1

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化鎢固體潤滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

二碲化鈦(TiTe2)過渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復(fù)合薄膜

大尺寸單層硒分區(qū)摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡寫為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強(qiáng)介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強(qiáng)誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復(fù)合薄膜

多鐵性磁電復(fù)合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復(fù)合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復(fù)合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

金屬離子摻雜的TiO2薄膜

納米碳纖維膜/鈷酸鋰三維同軸復(fù)合膜

含氫類金剛石薄膜

納米結(jié)晶金剛石碳膜

三明治結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電薄膜

三維納米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳納米纖維柔性薄膜

石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜

球殼狀連續(xù)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的3D納米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈納米纖維薄膜

石墨烯/多孔碳膜

yyp2021.3.31