薄膜的制備及表征

Fe;On薄膜的制備有多種方法: PLD，MBE，濺射法以及再氧化法等。我們的樣品采用MBE法生長，主要因?yàn)檫@種方法可以制備出較**的薄膜

制備Fe;0n薄膜有兩種方法:**種就是先在襯底上沉積Fe膜，然后再利用氧化劑如0或NO將其氧化生成Fez0薄膜。**種方法就是直接在富氧的環(huán)境中蒸發(fā)Fe,制備Fe;0。薄膜。這里利用的是**種方法。**種方法存在的缺陷是對(duì)沉積的Fe膜的厚度有一定限制，最厚為6nm。超過6nm就有可能出現(xiàn)氧化不完全或在薄膜中呈現(xiàn)出兩種以上形態(tài)的Fe氧化物l5。若要制備6nm以上的FeyO薄膜，就需要采用重復(fù)沉積加氧化的方法，對(duì)此就不加以闡述。采用**種方法制備Fe;On薄膜。

使用的GaAs(100)襯底其平面的品向平行于方向，使用之前用HSO:H;Oz:H;0(4:1:1)的溶液對(duì)GaAs基片清洗了30秒鐘，接著又用去離子水和異丙醇清洗。將洗凈的GaAs 襯底加載到MBE超高真空生長腔之后，在830K 的溫度下對(duì)其進(jìn)行退火處理40min，之后在處理過的GaAs襯底上沉積Fe膜，然后再利用有O環(huán)境的生長腔，維持Oz分壓5x103mbar將其氧化生成Fe,0s，O的排氣孔距離樣品12cm，這樣有利于在樣品周圍形成均勻一直的氣壓。下圖1(a)(c〉給出了生長在GaAs 襯底上 6nm Fe薄膜和Fes0n薄膜的RHEED衍射花樣，從下圖1(b)可以看出，F(xiàn)e膜為體心立方結(jié)構(gòu)（bcc)，外延生長關(guān)系為Fe(100)<O01>/GaAs(100)<001>,這和其他小組的結(jié)論是一致的°;圖1(C)給出了襯底溫度為50OK時(shí)氧化3分鐘后的樣品RHEED衍射花樣，然后在相同的環(huán)境下進(jìn)一步退火氧化樣品，其RHEED衍射花樣都不再有任何變化，表明樣品已經(jīng)形成了穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。此時(shí)觀察到的衍射花樣入射電子束沿著外延生長在 MgO （ 100）面上的Fes0·[010]方向的RHEED衍射花樣是一致的。在我們的薄膜樣品測量過程中，電子束是沿著GaAs (100)襯底[方向入射的，這表明外延生長的 Fey0n晶胞的<010>方向平行于GaAs襯底的<O-11>方向,因此,我們的樣品外延關(guān)系為Fey0: (100)<011>//GaAs(100)<010>。

圖2給出了Fe;0n晶胞相對(duì)于GaAs (100）襯底旋轉(zhuǎn)45°示意圖，F(xiàn)ey0。晶胞旋轉(zhuǎn)了45°是因?yàn)橄鄬?duì)于Fe;0 (100)<010>方向，F(xiàn)e;04 (100)<011>方向和GaAs (100)<010>方向的品格匹配度更好"例。GaAs和Feg0s的晶格常數(shù)分別為5.654A和8.396A，F(xiàn)e;0。晶胞旋轉(zhuǎn)45°后其晶格常數(shù)近似為GaAs晶胞對(duì)角線長度7.995A，F(xiàn)e;0q和GaAs 的晶格錯(cuò)配率只有5.0%，因此，外延關(guān)系為Fe;04 (100)<011>//GaAs(100)<010>時(shí)，形成的單晶薄膜質(zhì)量更好。Fe;0。晶胞相對(duì)于GaAs ( 100）是順時(shí)針旋轉(zhuǎn)還是逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)了45°未能確定，還要經(jīng)過更進(jìn)一步的研究。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

釩配合物(VO2(3-FL))和碳納米管復(fù)合薄膜

鉻鋁碳 Cr2AlC薄膜

沉積態(tài)貧鈾(DU)薄膜

鋁表面抗腐蝕多層有機(jī)復(fù)合薄膜

鋁銦鎵氮四元合金薄膜

壓鑄鋁合金表面耐蝕性銀基非晶薄膜

易降解的鍍鋁薄膜

頂層金屬薄膜

BOPP/VMCPP型鍍鋁復(fù)合薄膜

鋁合金表面(TixAly)N薄膜

鉻摻雜碳基薄膜

流延聚丙烯蒸鍍金屬薄膜（MCP）

二氧化硅薄膜

氧化鋁薄膜

以多孔碳為骨架的納米鋁熱薄膜

氧化銦錫鉭薄膜

鉭基介質(zhì)薄膜

鋁合金表面耐蝕潤滑一體化薄膜

非晶硅薄膜

多晶硅薄膜

含鉭薄膜

抗氧化鈾鉭薄膜

摻鉭鈾薄膜

氮化鉿薄膜

氧化鈮(鉭)薄膜

鉭硅介質(zhì)薄膜

鉭鋁合金薄膜

鈮鋁碳 Nb4AlC3薄膜

XRF聚酯薄膜

釩鋁碳 V4AlC3薄膜

鉬鎢硫MoWS2薄膜

二硫化鉬和硫化鉬鎢合金薄膜

含鉬或鎢薄膜

類石墨烯二硫化鎢薄膜

二硫化鉬MoS2薄膜

層狀二硫化鉬納米薄膜

稀土摻雜MoS2薄膜

MoS2/C復(fù)合薄膜

Au NPs薄膜

MoS2/a-C復(fù)合薄膜

磁控濺射MoS2+Sb2O3防冷焊薄膜

單層/少層/多層二硫化鉬納米復(fù)合薄膜

C/N共摻MoS2復(fù)合薄膜

層狀二硫化鉬/石墨烯(MoS2/Graphene)薄膜

非平衡磁控濺射離子鍍MoS2-Ti復(fù)合薄膜

自潤滑薄膜二硫化鉬(MoS2)和硬質(zhì)耐磨薄膜氮化鈦(TiN)

無機(jī)硫化物二硫化鉬(MoS2)固體潤滑薄膜

**的二硫化鉬MoS2納米多層薄膜

二硒化鉬MoSe2薄膜

二維二硒化鉬（MoSe2）薄膜

稀土摻雜MoSe2薄膜

銅銦鎵硒薄膜

單層/少層/多層硒化鉬(MoSe2)薄膜

銅鋅錫硫硒薄膜

銀摻雜硒化鉬(MoSe2)薄膜

二碲化鉬MoTe2薄膜

單晶二碲化鉬(MoTe2)薄膜

單層/少層/多層二碲化鉬(MoTe2)薄膜

二維二碲化鉬(MoTe2)薄膜

半金屬M(fèi)oTe2薄膜

MoTe2及MoTe2/MoS2異質(zhì)結(jié)薄膜

二維硒化鉬薄膜

二硫化鎢（WS2）薄膜

大面積MoS2/二硫化鎢（WS2）薄膜

單層/少層/多層二硫化鎢（WS2）復(fù)合薄膜

二硫化鎢/鎢摻雜類金剛石(WS2/W-DLC)復(fù)合薄膜

二硒化鎢（WSe2）薄膜

大尺寸二硒化鎢（WSe2）薄膜

二硒化鎢（WSe2）半導(dǎo)體薄膜

單層/少層/多層二硒化鎢（WSe2）薄膜

垂直基底生長硒化鎢納米片薄膜

過渡金屬硫?qū)倩锉∧る娋w

二碲化鎢（WTe2）薄膜

二碲化鎢（WTe2）和鉍薄膜

摻雜VO2薄膜

二硫化錫SnS2薄膜

錫化亞錫SnS薄膜

硫化鉍(Bi2 S3)薄膜

nO/SnS復(fù)合薄膜

CdS/CdS和CdS/Dy/CdS薄膜

可撓性P型氧化亞錫薄膜電晶體

含氧化亞錫顆粒的雙軸取向聚酯薄膜

氧化亞錫多晶薄膜

二硫化錫/三硫化二錫/硫化亞錫異質(zhì)結(jié)薄膜

錫硫化物薄膜

硫化亞錫(SnS)薄膜

電沉積硫化亞錫(SnS)薄膜

硫化亞錫(SnS)異質(zhì)結(jié)薄膜

簡易硫化亞錫(SnS)微米棒薄膜

聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)/硫化亞錫(SnS)納米帶柔性薄膜

硫化亞錫(SnS)敏化納晶TiO2膜

六方氮化硼（HBN）薄膜

石墨烯-六方氮化硼（HBN）薄膜

Zn原位摻雜的P型六方氮化硼（HBN）薄膜

催化劑輔助化學(xué)氣相生長高結(jié)晶六方氮化硼（HBN）薄膜

高儲(chǔ)能效率鐵電聚合物基電介質(zhì)薄膜

三硒化二銦In2Se3薄膜

硒化銦(InSe和In2Se3)納米薄膜

Cu(In,Ga)Se_2和Cu_2ZnSnSe_4薄膜

黃銅礦系薄膜

CuInSe2(CIS)薄膜

二硒化鉬（MoS2）薄膜

大尺寸單層/多層/少層二硫化鉬（MoS2）薄膜

二維硒化鉬（MoS2）薄膜

二氧化鈦納米線/二硒化鉬（MoS2）復(fù)合薄膜

二硒化鈮NbSe2復(fù)合薄膜

二硫化釩VS2薄膜

yyp2021.3.29