反射式高能電子衍射(Reflection high energy electron diffraction,簡稱RHEED)
RHEED的特點及原位實時監測薄膜生長的原理:
反射式高能電子衍射(RHEED)是一種原位(In-situ)監測薄膜生長結構的**.工具。在鍍膜工藝中,它通常安裝在MBE系統上,用于薄膜結構的原位監測,RHEED的應用較大地提高了MBE鍍膜條件的研究效率。
RHEED可用于監測薄膜生長((即使是亞單原子層)。通過RHEED 圖案特征,可以分析基底的表面再構、基底或薄膜表面的晶體結構。通過衍射強度的變化,可分析薄膜表面粗糙度,從而監測薄膜生長進度。
與低能電子衍射(Low energy electron diffraction,LEED)和透射電子衍射(Transmissionhigh energy electron diffraction,THEED)相區別,它具有很高的電子能量(10~100keV),電子與薄膜表面的反應具有反射特性。其原理如圖所示,10~100keV的高能量電子以較小的角度(通常為1~3°)入射樣品表面,即電子束以幾乎平行于樣品表面的方向入射,發生樣品晶面的衍射后,在另一側的屏幕上可檢測到電子衍射信號,通過此信號可實時監測薄膜的生長結構與狀況。由于在RHEED實驗中,電子束以幾乎平行于樣品的方向入射,因此電子束僅僅透入薄膜表面兒個原子層厚度,這正好使得RHEED成為晶體表面結構分析的強有力.工具。
電子衍射同樣可以用愛瓦爾德的倒易理論進行分析,衍射倒易理論認為,當愛瓦爾德衍射球與倒易晶格點相交時,衍射就會發生。一般來說,由衍射圖案可直接判定生長的薄膜是否為單晶。如果高能電子衍射發生在具有絕對完美結構的單晶體(Single crystalline)表面,三維的倒易晶格點將表現為無限的平行棒束,實際上由于熱振動和晶格的不完整性,通常表現為有限的平行棒束( Streaky feature),如圖 (b)。若衍射發生在平滑的多晶體(Polycrystalline)表面,其衍射圖案為環狀。如果衍射發生在不夠平滑的晶體表面,將會形成點狀圖案(Spotty feature),如圖 (c)。而如果高能電子入射非晶結構表面,由于不存在規則的衍射晶面,不會得到任何衍射圖案,只是背底而已。由于反射球半徑很大,和球面相交的除(00)桿外還有(01),(01)桿,甚至(02),(02〉桿,這些桿形成相應的衍射條紋。
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