薄膜制備濺射法

濺射現(xiàn)象源于陰極表面的氣體輝光放電。濺射料呈板材作為陰極，基片置于陽(yáng)極附近，高真空狀態(tài)下放入工作氣體（一般為氬氣)，在處于1-0.1Pa的低.工作氣壓中，在兩極上施加0.1-10kV的電壓，使工作氣體原子電離成等離子體，從而產(chǎn)生具有高離子濃度的輝光放電區(qū),等離子體中的正離子在電場(chǎng)作用下轟擊陰極的靶材,與靶表面原子和原子團(tuán)交換能量，使之飛濺出來(lái)，沉積到基片表面形成薄膜，故稱此鍍膜方法為濺射法。下圖為濺射原理圖。

濺射幾乎可以用來(lái)沉積任何固體材料的薄膜,所得膜層致密、純度高、與基片附著牢固。濺射方法種類繁較多，有直流磁控濺射法、射頻濺射法、離子束濺射法等。在比較低的氣壓下，從離子源區(qū)處的瓴離子以一定角度對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，由于轟擊粒子的能P大約為 1KeV,對(duì)靶材的穿透深度可忽略不計(jì)，級(jí)聯(lián)碰撞只發(fā)生在靶材兒個(gè)原子厚度的表面層中，大量的原乎逃離靶材表面，成為濺射離子，其具有的能量大約為10eV的數(shù)量級(jí)。由于真空室內(nèi)具有比較少的背景氣體分子，濺射離子的自由程很大，這些粒子以直線軌跡到達(dá)基板并沉積在上面形成薄膜。由于大多數(shù)濺射粒子具有的能量只能滲入并使薄膜致密，而沒(méi)有足夠的能量使其它粒子移位，造成薄膜的破壞，同時(shí)由于低的背景氣壓，薄膜的污染也很低:而且，冷的基板也阻止了由熱激發(fā)導(dǎo)致品粒的生長(zhǎng)在薄膜內(nèi)的擴(kuò)散。因此，在基板上可以獲得致密的無(wú)定形膜層。在成膜過(guò)程中，特別是那些能量高丁10eV的濺射粒子，能夠滲入兒個(gè)原子址級(jí)的膜層從而提高了薄膜的附著力，并且再高低折射率層之間形成了很小梯度的過(guò)渡層。有的轟擊粒子從靶材獲得了電子而成為中性粒子或多或少的被彈性反射，然后，他們以幾百電子伏的能量撞擊薄膜，高能中性粒子的微量噴射可以進(jìn)一-步使薄膜致密也增強(qiáng)了薄膜的內(nèi)應(yīng)力。

濺射法的主要優(yōu)點(diǎn)是.工藝比較成熟，能夠以較低的成本制備實(shí)用的大面積薄膜,沉積溫度較低，可以在氧氣氣氛中使用金屬或者合金靶材通過(guò)反應(yīng)濺射獲得所需要的薄膜。但這種方法的缺點(diǎn)是沉積膜速率較慢，在濺射過(guò)程中各組分的揮發(fā)性差別很大，膜的成分和靶材的成分有較大偏差，結(jié)構(gòu)的均勻性比較難以控制。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se_2,簡(jiǎn)寫GIGS)薄膜

大面積銅銦鎵硒(GIGS)薄膜

磷化鎵GaP薄膜

柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜

硫化鋅(ZnS)緩沖層薄膜

鎵硫碲GaSTe薄膜

基于鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫?qū)倩衔锉∧?/p>

二硫化鉿HfS2薄膜

二硒化鉿HfSe2納米薄膜

二氧化鉿圖案化薄膜

具有V型能帶結(jié)構(gòu)的銻硫硒薄膜

二氧化鉿(HfO2)納米晶態(tài)薄膜

花菁染料薄膜

碲化鎘(CdTe)多晶薄膜

納米厚度的鈮基超導(dǎo)超薄薄膜

摻雜鈮和鈷元素的鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜

碲化銣薄膜

二碲化鎳NiTe2薄膜

連續(xù)半導(dǎo)體薄膜

二硒化鉑PtSe2薄膜

大面積的二維PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高遷移率層狀硒氧化鉍Bi2O2Se半導(dǎo)體薄膜

碲氧濺射薄膜

碲納米線柔性薄膜

三硫化二錫Sn2S3薄膜

銅鋅錫硫和硫化亞錫（CZTS和SnS）薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜

納米二氧化釩(VO2)薄膜

半導(dǎo)體硫(硒)化鋅-錳薄膜

無(wú)擴(kuò)散阻擋層Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

鎢摻雜的硫硒化鎳薄膜

固溶體半導(dǎo)體碲硫鋅多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

鋅基底表面超疏水薄膜

Zr-Al復(fù)合薄膜

大面積二硫化鋯薄膜

BaZrS3薄膜

碲化錳MnTe薄膜

碲化鎳NiTe薄膜

Cr摻雜ZnS的中間帶薄膜

銅鈷錫硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸銀復(fù)合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低溫生長(zhǎng)富砷的鎵砷銻薄膜

As摻雜碲鎘汞薄膜

鍺砷硒半導(dǎo)體薄膜

三硒化二鉍Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二鉍Bi2Te3薄膜

晶界調(diào)控n型碲化鉍薄膜

碲化鉍取向納米柱狀薄膜

碲化鉍納米薄膜

碲化鉍(Bi2Te3)化合物熱電薄膜

碲化鎘硅基薄膜

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化鎢固體潤(rùn)滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

二碲化鈦(TiTe2)過(guò)渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復(fù)合薄膜

大尺寸單層硒分區(qū)摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡(jiǎn)寫為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強(qiáng)介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強(qiáng)誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復(fù)合薄膜

多鐵性磁電復(fù)合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復(fù)合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復(fù)合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

金屬離子摻雜的TiO2薄膜

納米碳纖維膜/鈷酸鋰三維同軸復(fù)合膜

含氫類金剛石薄膜

納米結(jié)晶金剛石碳膜

三明治結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電薄膜

三維納米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳納米纖維柔性薄膜

石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜

球殼狀連續(xù)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的3D納米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈納米纖維薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三維多孔碳膜

二維氮化硼納米薄膜

高性能鈉離子薄膜

多孔石墨烯/碳納米管復(fù)合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化錳復(fù)合薄膜

各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜

碳氮化物薄膜

微納結(jié)構(gòu)薄膜

三維階層多孔金膜

大內(nèi)徑碳納米管陣列薄膜

金納米顆粒-碳復(fù)合材料催化劑薄膜

納米反應(yīng)器陣列薄膜

鐵氧體/石墨烯基納米復(fù)合薄膜

三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)鐵氧體/碳材料納米復(fù)合薄膜

具有大孔-中孔多級(jí)孔結(jié)構(gòu)的自支撐碳納米管薄膜

非晶碳基納米多層薄膜

離子液體/織構(gòu)化類金剛石碳復(fù)合潤(rùn)滑薄膜

碳納米纖維薄膜

硫化鈷鎳納米棒-靜電紡絲碳納米纖維復(fù)合薄膜

金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜

三維多孔碳納米管/石墨烯導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的柔性薄膜

三維鎳納米線薄膜

超順排碳納米管薄膜

金屬摻雜DLC(Me-DLC)納米復(fù)合薄膜

C-TiO_2和C-Ni-TiO_2復(fù)合薄膜

碳基架負(fù)載二氧化錳納米片的復(fù)合薄膜

超潤(rùn)滑非晶碳膜

網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)碳納米管薄膜

二維碳基薄膜

石墨烯基納米薄膜復(fù)合材料

超級(jí)電容器柔性可彎曲薄膜

三維石墨烯/多壁碳納米管/納米金鉑復(fù)合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)

多孔C/TiO2納米復(fù)合薄膜

碳包覆磷酸鐵鋰薄膜

WC/類金剛石(DLC)/WS2納米復(fù)合薄膜

yyp2021.3.29