薄膜的制備方法：

薄膜是指附著在某一基體材料上起某種特殊作用,且與基體材料具有一定結(jié)合強(qiáng)度的薄層材料。各種塊體材料都能以薄膜形態(tài)存在，大多數(shù)磁性存儲器件都和磁性薄膜有關(guān)。特別是近些年來，大規(guī)模的信息和多媒體時(shí)代，各種電子信息的交換與存儲要求器件存儲密度更高，速度更快，消耗功率更低，尺寸更小。薄膜的發(fā)展呈現(xiàn)出集成化、微型化的趨勢。

薄膜制備技術(shù)的一系列突破使得制備各種人工.調(diào)制結(jié)構(gòu)成為可能,發(fā)展了多種制備薄膜的方法，可以制備薄膜材料的品種也越來越多。目前采用的主要方法有:磁控濺射法、離子束濺射法、脈沖激光沉積（PLD）和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(CVD)、溶膠凝膠法(Sol-Gel)、金屬有機(jī)物分解法（MOD)以及分子束外延（MBE）等方法。上述制備方法中，每一種方法都有其各自的特點(diǎn)。

分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy，簡稱MBE)

分子束外延的原理：

分子束外延技術(shù)(Molecular Beam Epitaxy，簡稱MBE)是由美國 Bell實(shí)驗(yàn)室的卓以和博士于1970年提出來的一種薄膜生長方法，它是一種可以從原子尺寸**控制外延層厚度、組分、界面粗糙度等參數(shù)的超薄膜制備技術(shù)，可以用于制備半導(dǎo)體、金屬和絕緣體的單層和多層薄膜。具體來說，分子束外延技術(shù)是指在清潔的超高真空環(huán)境下，使具有一定熱能的分子(或原子)的束流噴射到被加熱的襯底上，在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)生成單晶薄膜的過程，如圖2.1所示。分子束外延自70年代至今已有30多年的歷史，由于這種技術(shù)是在超高真空中生長薄膜，薄膜的厚度和組分能夠**控制，生長環(huán)境清潔，可以生長出自然界沒有的新型超晶格材料，受到人們廣泛的重視。在10°Pa超高真空(用離子泵、冷凝泵和升華泵)下以0.1~1nm/s 的慢沉積速率蒸發(fā)鍍膜稱為分子束外延。在超高真空中，分子束中的分子之間以及分子束的分子與背景分子之間兒乎不發(fā)生碰撞。最初該技術(shù)用于生長GaAs，AlGaAs 等III-V族化合物半導(dǎo)體，以后逐步推廣，遍及I-V族，Ⅳ族等半導(dǎo)體薄膜，金屬薄膜，超導(dǎo)薄膜，以及介質(zhì)薄膜等，成為一種生長各種新型薄膜的技術(shù)lS7)。分子束外延的特點(diǎn)是參與反應(yīng)的分子束“溫度”和襯底溫度是相對獨(dú)立的，可以分別加以控制。超高真空是為了保證外延薄膜的質(zhì)址，減少晶體污染和缺陷，它是指殘余氣體的總壓力P=1.33×107Pa。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

二硫化釩VS2薄膜

氮化碳(CNx)薄膜

高氮含量氮化碳（C3N4）薄膜

射頻磁控濺射沉積氮化碳(CNx)薄膜

氮化碳(CNx/TiN)復(fù)合薄膜

磷摻雜的石墨相氮化碳(CNx)薄膜

硒化鍺GeSe薄膜

二元化合物硒化亞鍺(GeSe)薄膜

**純相GeSe多晶薄膜

Ge-In-Se硫系薄膜 鍺-銦-硒薄膜

新型硒化鍺GeSe無機(jī)薄膜

硫化鍺GeS薄膜

硫化鍺-硫化稼-硫化鎘非晶薄膜

Li3PO4/GeS2復(fù)合固體電解質(zhì)薄膜

鍺復(fù)合磷酸鋰固體電解質(zhì)薄膜

硫化鍺玻璃薄膜

硒化鎵GaSe薄膜

硫化鎵GaS薄膜

碘化鉻CrI3薄膜

交叉狀碘化氧鉍納米片薄膜

p型碘化亞銅CuI薄膜

CH3NH3PbI3多晶薄膜

玻璃纖維布負(fù)載碘氧化鉍光催化薄膜

半導(dǎo)體碘化鉛薄膜

鈣鈦礦薄膜

二硫化鈦TiS2薄膜

二維納米二硫化鈦TiS2薄膜

二硒化鈦TiSe2薄膜

CulnSe2薄膜

CuMSe2(M=In,Ga,Ti)薄膜

Cu(In,Ga)Se2薄膜

二硒銅銦(鋁)薄膜

銦鍺碲In2Ge2Te6薄膜

鍺銻碲非晶薄膜

基于鍺銻碲與IV族碲化物交替堆垛的多層相變薄膜

二硫化錸（ReS2）薄膜

大面積二維的二硫化錸（ReS2）薄膜

二硫化錸（ReS2）納米片陣列薄膜

二硒化錸ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二維SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亞錫(SnSe)薄膜

銅鋅錫硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag摻雜SnSe半導(dǎo)體薄膜

二硒化鈀PdSe2薄膜

二硒化鈀二維晶態(tài)薄膜

二碲化鈀 PdTe2薄膜

內(nèi)嵌高密度鈀納米晶的介質(zhì)薄膜

鈀/鉑納米薄膜

鈀(Ⅱ)-鋅卟啉-二氧化鈦三元復(fù)合配位聚合物薄膜

單質(zhì)鈀薄膜/鈀復(fù)合多層薄膜

鈀納米薄膜

負(fù)載鈀多層復(fù)合薄膜

三碲化鋯 ZrTe2薄膜

鋯摻雜二氧化鉿基納米薄膜

**Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二維MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化鋯ZrO2薄膜

二硒化鉭TaSe2薄膜

二硫化鉭TaS2薄膜

鉭摻雜二氧化鈦TiO2薄膜

二硫化鉬/二硫化鎢多層摻鉭薄膜

納米結(jié)構(gòu)316L不銹鋼基摻鉭TiO_2薄膜

三硫化二銦（In2S3）薄膜

多孔三硫化二銦（In2S3）薄膜

硫化二銦(In2S3)緩沖層納米晶薄膜

具有納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的硫化銦納米晶陣列薄膜

堿式硝酸銅薄膜

均勻致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)復(fù)合薄膜

多孔TiO2薄膜

銅銦鎵硒薄膜(CIGS)

碲化亞鐵FeTe薄膜

鉍碲硒Bi2Te2S薄膜

鉍銻碲基熱電薄膜

N型碲化鉍基熱電薄膜

鉬鎢硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

鉬鎢碲MoWTe2薄膜

鉬硫硒MoSSe薄膜

提高柔性銅銦鎵硫硒薄膜

MoO3薄膜

鉍氧硒Bi2O2Se薄膜

高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體薄膜

硒化鉍納米結(jié)構(gòu)薄膜

c軸取向鉍銅硒氧基氧化物熱電薄膜

用硫酸鉍制備硒化鉍熱電薄膜

**晶圓級硒氧化鉍半導(dǎo)體單晶薄膜

氧化鉍BiOx薄膜

鉍銅硒氧基類單晶薄膜

鉍氧碲Bi2O2Te薄膜

鉍碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se溫差電薄膜

Bi2Te3-ySey溫差電材料薄膜

鐵鍺碲Fe3GeTe2薄膜

大面積二維鐵磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亞鐵釩薄膜

室溫鐵磁硅鍺錳半導(dǎo)體薄膜

BaxSr1—xTiO3鐵電薄膜

含鐵二氧化鈦Fe^3+/TiO2復(fù)合納米薄膜

P(VDF-TrFE)鐵電薄膜

矽鍺磊晶薄膜

鍺-二氧化硅Ge-SiO2復(fù)合薄膜

納米復(fù)合堆疊鋅銻鍺碲相變存儲薄膜

含鐵二氧化鈦(TiO2)印跡薄膜

室溫鐵磁半導(dǎo)體Co摻雜的TiO2薄膜

（Ba,Sr)TiO3(簡稱BST)鐵電薄膜

黑磷薄膜

鐵磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金屬硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化鎳NiI2薄膜

溴化鎳NiBr2薄膜

碘化錳MnI2薄膜

銅釩磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化釩智能溫控薄膜

銅銻硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化銦薄膜

釩氧化物薄膜

銅鉻磷硫CuCrP2S6薄膜

銅鐵錫硫(CFTS)薄膜

銅銦硫光電薄膜

yyp2021.3.29