為了磁性元件能夠?qū)崿F(xiàn)高頻化與微型化，基于磁性薄膜的磁性元件在近幾十年內(nèi)被廣泛研究。具體地，薄膜化的磁性元件相比基于塊材磁芯的磁性元件至少具有以下三點優(yōu)勢。**，薄膜化的磁性元件使得磁性元件實現(xiàn)了器件小型化、平面化，并且其制造可以通過鍍膜、光刻等目前電子工業(yè)通用的工藝實現(xiàn)，**有利于與其他電子元件一起集成;**，如果磁性薄膜的膜厚小于電磁波趨膚深度，則可以大大**渦流損耗，進而在磁性材料的選擇上，對電阻率的要求更低，相比于塊材磁芯可以具有更廣的材料選擇范圍l5';第三，相關(guān)理論表明，對于相同的磁性材料，在磁導(dǎo)率一定的情況下，薄膜形態(tài)相比于塊材形態(tài)可以具有更高的鐵磁共振頻率,進而可以工作于更高的頻率。以上這些優(yōu)勢決定了薄膜化的磁性元件是未來磁性元件發(fā)展的重要方向之一。

對于上述薄膜化的磁性元件的研究主要集中在兩個層面:**是基于磁性薄膜的平面化器件設(shè)計，**是研發(fā)具有優(yōu)良高頻性能的磁性薄膜。

對于器件設(shè)計，以薄膜電感為例，早在1984年日本大阪大學(xué)的Kawabe等人就開發(fā)出了**的三種形態(tài)的薄膜電感,即環(huán)繞型(Hoop type)、螺旋型(Spiraltype）和折線形(Meander type)，其制作流程及**參數(shù)如圖1所示。之后，螺旋線圈型的薄膜電感占據(jù)了主導(dǎo)地位，主要包括了圓形螺旋型、矩形螺旋型、六（八）邊螺旋型、雙矩螺旋型等一系列的結(jié)構(gòu)。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

二硒化鈀二維晶態(tài)薄膜

二碲化鈀 PdTe2薄膜

內(nèi)嵌高密度鈀納米晶的介質(zhì)薄膜

鈀/鉑納米薄膜

鈀(Ⅱ)-鋅卟啉-二氧化鈦三元復(fù)合配位聚合物薄膜

單質(zhì)鈀薄膜/鈀復(fù)合多層薄膜

鈀納米薄膜

負載鈀多層復(fù)合薄膜

三碲化鋯 ZrTe2薄膜

鋯摻雜二氧化鉿基納米薄膜

**Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二維MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化鋯ZrO2薄膜

二硒化鉭TaSe2薄膜

二硫化鉭TaS2薄膜

鉭摻雜二氧化鈦TiO2薄膜

二硫化鉬/二硫化鎢多層摻鉭薄膜

納米結(jié)構(gòu)316L不銹鋼基摻鉭TiO_2薄膜

三硫化二銦（In2S3）薄膜

多孔三硫化二銦（In2S3）薄膜

硫化二銦(In2S3)緩沖層納米晶薄膜

具有納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的硫化銦納米晶陣列薄膜

堿式硝酸銅薄膜

均勻致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)復(fù)合薄膜

多孔TiO2薄膜

銅銦鎵硒薄膜(CIGS)

碲化亞鐵FeTe薄膜

鉍碲硒Bi2Te2S薄膜

鉍銻碲基熱電薄膜

N型碲化鉍基熱電薄膜

鉬鎢硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

鉬鎢碲MoWTe2薄膜

鉬硫硒MoSSe薄膜

提高柔性銅銦鎵硫硒薄膜

MoO3薄膜

鉍氧硒Bi2O2Se薄膜

高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體薄膜

硒化鉍納米結(jié)構(gòu)薄膜

c軸取向鉍銅硒氧基氧化物熱電薄膜

用硫酸鉍制備硒化鉍熱電薄膜

**晶圓級硒氧化鉍半導(dǎo)體單晶薄膜

氧化鉍BiOx薄膜

鉍銅硒氧基類單晶薄膜

鉍氧碲Bi2O2Te薄膜

鉍碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se溫差電薄膜

Bi2Te3-ySey溫差電材料薄膜

鐵鍺碲Fe3GeTe2薄膜

大面積二維鐵磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亞鐵釩薄膜

室溫鐵磁硅鍺錳半導(dǎo)體薄膜

BaxSr1—xTiO3鐵電薄膜

含鐵二氧化鈦Fe^3+/TiO2復(fù)合納米薄膜

P(VDF-TrFE)鐵電薄膜

矽鍺磊晶薄膜

鍺-二氧化硅Ge-SiO2復(fù)合薄膜

納米復(fù)合堆疊鋅銻鍺碲相變存儲薄膜

含鐵二氧化鈦(TiO2)印跡薄膜

室溫鐵磁半導(dǎo)體Co摻雜的TiO2薄膜

（Ba,Sr)TiO3(簡稱BST)鐵電薄膜

黑磷薄膜

鐵磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金屬硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化鎳NiI2薄膜

溴化鎳NiBr2薄膜

碘化錳MnI2薄膜

銅釩磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化釩智能溫控薄膜

銅銻硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化銦薄膜

釩氧化物薄膜

銅鉻磷硫CuCrP2S6薄膜

銅鐵錫硫(CFTS)薄膜

銅銦硫光電薄膜

鉻-氧薄膜

銅銦硒硫薄膜

鉻硅碲CrSiTe3薄膜

鎳鉻/鉻硅鈷薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化鎘-硅基薄膜

嵌入多納米片的碲化鉻薄膜

三價鉻電沉積納米結(jié)構(gòu)鍍層/薄膜

鉻鍺碲CrGeTe3薄膜

鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

高性能鍺銻碲相變薄膜

銀/鉻（Cr/Ag）薄膜

銅銦磷硫CuInP2S6薄膜

銅銦硫(CuInS2,簡稱CIS)半導(dǎo)體薄膜

氯化鉻CrCl3薄膜

碲化鈷CoTe2薄膜

鈷摻雜TiO2薄膜

銀釩磷硒AgVP2Se6薄膜

銀納米薄膜

銀鉍硫薄膜

鉻-銀-金薄膜

石墨烯/銀復(fù)合薄膜

銀金納米線PDMS復(fù)合薄膜

聚乙烯醇/二氧化鈦(PVAmO2)納米復(fù)合薄膜

電沉積銀銦硒薄膜

冷軋鈀銀合金薄膜

三硫化二鎵Ga2S3薄膜

FeS2復(fù)合薄膜

三硒化二鎵Ga2Se3薄膜

納米砷化鎵（GaAs）薄膜

砷化鎵（GaAs）納米結(jié)構(gòu)薄膜

砷化鎵（GaAs）多晶薄膜

GaAs/Ga2O3復(fù)合多晶薄膜

鎵銦硒GaInSe薄膜

銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se_2,簡寫GIGS)薄膜

大面積銅銦鎵硒(GIGS)薄膜

磷化鎵GaP薄膜

柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜

硫化鋅(ZnS)緩沖層薄膜

鎵硫碲GaSTe薄膜

基于鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

yyp2021.3.25