要獲得**并具有一定電學參數的硅外延單晶薄膜,對定積參數應加以研究及控制。下面我們來討論哪些淀積參數會影響外延層的質量及電學性質.

(1）氬氣與SiCl混合氣體流動的圖案除了上述的氣流方向應與襯底表面平行外，氣體進入反應系統的入口的設計亦應加以研究，以便獲得均勻的氣流，才能使淀積層的厚度均勻.

(2)系統的糖度系統的沾污應盡量減到最小,才能較好地控制外延層的雜質濃度.

(3)襯底的制備一般化學拋光比機械拋光好，所以**以顆粒大小不同的金鋼砂作順序研磨，然后用化學拋光法去掉研磨的損傷層,用去離子水沖洗千凈,再以高電阻率的有機溶劑(如甲醇)沖洗后,保持在干燥器中待用,并應完全避免襯底表面存在任何機械損傷.

(4）橫過襯底的溫度梯度 溫度梯度應越小越好,一-般片子的中心與邊綠的溫度差△T不大于50—10℃,以便減少由溫度梯度引起熱應力所產生的位錯及其他缺陷.

(5)淀積的溫度淀積的溫度對晶體的完整性有**的影響．淀積的溫度亦會影響淀積率、厚度的變化率、電阻率的分布等．因而選擇淀積溫度時，必須保證對晶體的完整性影響不大，同時又能獲得厚度較均勻的外延單晶薄膜.

(6)淀積時間淀積時間對外延層質量的影響,迄今倘未作過系統的研究,但是這個因素還是很重要的．**，整個淀積時間內淀積率應保持固定．**，生長過程中達到某**時間后,則晶體完整性變壞、由此可見淀積時間與外延層質量之間的關系是有必要加以研究的。

(7) siCl,與氳氣的比率也是一個重要的因素,因為它直接影響淀積的速率,當然與晶體的完整性亦有關.

(8）氧氣的流速,它也是值接影響淀積速率及襯底雜質原子轉移的數量.

(9) siCl,的e度，它直接影響了外延層的電阻率.

制備**的外延單晶薄膜,在某固定的反應系統下,上跡這些因素應系統地進行研究,獲得**條件后進行外延單晶薄膜的生長．這些條件與外延層質量的關系刻于下表.

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yyp2021.3.24