圖1上目測結果表明在間隔5 min的鍍膜過程中，N-DLC碳膜的顏色經歷了較大變化,從黃紅色到藍綠色,沉積時間分別為10、25、30、70、75、80 min時，N-DLC薄膜的代表性顏色分別呈現黃紅色、淺黃色、較亮的金黃色、灰黃色、紫藍色和藍綠色的變化;而從圖1下看出在沉積時間為10~80 min范圍內(間隔5 min)的鍍膜過程中，DLC碳膜的顏色經歷了較大變化，從黃紅色到藍綠色;在75 min以前顏色以黃色為主，涵蓋了黃紅、淺黃、金黃、灰黃等代表性顏色，在30 min時達到了較亮的金黃色，70 min后顏色加深,開始轉變色調。從表1 CIE1976L*a*b*色度值變化看出:明度L*隨沉積時間先略微降低,再明顯增加,隨后又降低,變化范圍為62.58~54.68，紅/綠色品坐標*變化范圍為:+20.02~-20.91，黃/藍色品坐標b*變化范圍為:+13.36~-7.08，轉換為Mussell表色值:僅出現了黃(Y、黃紅(YR)、灰黃(GY、紫藍PB)、藍綠色(BG)。

供應產品目錄：

二硫化錸（ReS2）納米片陣列薄膜

二硒化錸ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二維SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亞錫(SnSe)薄膜

銅鋅錫硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag摻雜SnSe半導體薄膜

二硒化鈀PdSe2薄膜

二硒化鈀二維晶態薄膜

二碲化鈀 PdTe2薄膜

內嵌高密度鈀納米晶的介質薄膜

鈀/鉑納米薄膜

鈀(Ⅱ)-鋅卟啉-二氧化鈦三元復合配位聚合物薄膜

單質鈀薄膜/鈀復合多層薄膜

鈀納米薄膜

負載鈀多層復合薄膜

三碲化鋯 ZrTe2薄膜

鋯摻雜二氧化鉿基納米薄膜

**Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二維MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化鋯ZrO2薄膜

二硒化鉭TaSe2薄膜

二硫化鉭TaS2薄膜

鉭摻雜二氧化鈦TiO2薄膜

二硫化鉬/二硫化鎢多層摻鉭薄膜

納米結構316L不銹鋼基摻鉭TiO_2薄膜

三硫化二銦（In2S3）薄膜

多孔三硫化二銦（In2S3）薄膜

硫化二銦(In2S3)緩沖層納米晶薄膜

具有納米網狀結構的硫化銦納米晶陣列薄膜

堿式硝酸銅薄膜

均勻致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)復合薄膜

多孔TiO2薄膜

銅銦鎵硒薄膜(CIGS)

碲化亞鐵FeTe薄膜

鉍碲硒Bi2Te2S薄膜

鉍銻碲基熱電薄膜

N型碲化鉍基熱電薄膜

鉬鎢硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

鉬鎢碲MoWTe2薄膜

鉬硫硒MoSSe薄膜

提高柔性銅銦鎵硫硒薄膜

MoO3薄膜

鉍氧硒Bi2O2Se薄膜

高遷移率層狀Bi2O2Se半導體薄膜

硒化鉍納米結構薄膜

c軸取向鉍銅硒氧基氧化物熱電薄膜

用硫酸鉍制備硒化鉍熱電薄膜

**晶圓級硒氧化鉍半導體單晶薄膜

氧化鉍BiOx薄膜

鉍銅硒氧基類單晶薄膜

鉍氧碲Bi2O2Te薄膜

鉍碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se溫差電薄膜

Bi2Te3-ySey溫差電材料薄膜

鐵鍺碲Fe3GeTe2薄膜

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六氰亞鐵釩薄膜

室溫鐵磁硅鍺錳半導體薄膜

BaxSr1—xTiO3鐵電薄膜

含鐵二氧化鈦Fe^3+/TiO2復合納米薄膜

P(VDF-TrFE)鐵電薄膜

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鍺-二氧化硅Ge-SiO2復合薄膜

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室溫鐵磁半導體Co摻雜的TiO2薄膜

（Ba,Sr)TiO3(簡稱BST)鐵電薄膜

黑磷薄膜

鐵磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金屬硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

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CulnS2薄膜

CBD硫化銦薄膜

釩氧化物薄膜

銅鉻磷硫CuCrP2S6薄膜

銅鐵錫硫(CFTS)薄膜

銅銦硫光電薄膜

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鎳鉻/鉻硅鈷薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化鎘-硅基薄膜

嵌入多納米片的碲化鉻薄膜

三價鉻電沉積納米結構鍍層/薄膜

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鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

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碲化鈷CoTe2薄膜

鈷摻雜TiO2薄膜

銀釩磷硒AgVP2Se6薄膜

銀納米薄膜

銀鉍硫薄膜

鉻-銀-金薄膜

石墨烯/銀復合薄膜

銀金納米線PDMS復合薄膜

聚乙烯醇/二氧化鈦(PVAmO2)納米復合薄膜

電沉積銀銦硒薄膜

冷軋鈀銀合金薄膜

三硫化二鎵Ga2S3薄膜

FeS2復合薄膜

三硒化二鎵Ga2Se3薄膜

納米砷化鎵（GaAs）薄膜

砷化鎵（GaAs）納米結構薄膜

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GaAs/Ga2O3復合多晶薄膜

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銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se_2,簡寫GIGS)薄膜

大面積銅銦鎵硒(GIGS)薄膜

磷化鎵GaP薄膜

柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜

硫化鋅(ZnS)緩沖層薄膜

鎵硫碲GaSTe薄膜

基于鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫屬化合物薄膜

二硫化鉿HfS2薄膜

二硒化鉿HfSe2納米薄膜

二氧化鉿圖案化薄膜

具有V型能帶結構的銻硫硒薄膜

二氧化鉿(HfO2)納米晶態薄膜

花菁染料薄膜

碲化鎘(CdTe)多晶薄膜

納米厚度的鈮基超導超薄薄膜

摻雜鈮和鈷元素的鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜

碲化銣薄膜

二碲化鎳NiTe2薄膜

連續半導體薄膜

二硒化鉑PtSe2薄膜

大面積的二維PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高遷移率層狀硒氧化鉍Bi2O2Se半導體薄膜

碲氧濺射薄膜

碲納米線柔性薄膜

三硫化二錫Sn2S3薄膜

銅鋅錫硫和硫化亞錫（CZTS和SnS）薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜

納米二氧化釩(VO2)薄膜

半導體硫(硒)化鋅-錳薄膜

無擴散阻擋層Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

鎢摻雜的硫硒化鎳薄膜

固溶體半導體碲硫鋅多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

鋅基底表面超疏水薄膜

Zr-Al復合薄膜

大面積二硫化鋯薄膜

BaZrS3薄膜

碲化錳MnTe薄膜

碲化鎳NiTe薄膜

Cr摻雜ZnS的中間帶薄膜

銅鈷錫硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸銀復合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶態半導體薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低溫生長富砷的鎵砷銻薄膜

As摻雜碲鎘汞薄膜

鍺砷硒半導體薄膜

三硒化二鉍Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二鉍Bi2Te3薄膜

晶界調控n型碲化鉍薄膜

碲化鉍取向納米柱狀薄膜

碲化鉍納米薄膜

碲化鉍(Bi2Te3)化合物熱電薄膜

碲化鎘硅基薄膜

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

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二硫化錸(ReS2)薄膜

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二碲化鈦(TiTe2)過渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復合薄膜

大尺寸單層硒分區摻雜二硫化鎢薄膜

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具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡寫為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復合薄膜

多鐵性磁電復合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

金屬離子摻雜的TiO2薄膜

yyp2021.3.23