圖1示出了經(jīng)真空中不同溫度下熱處理的無(wú)Ti底層的DLC薄膜形貌的AFM像(玻璃陶瓷基體,簿膜厚度0 24 pm).可以看出，無(wú)Ti底層的DLC 薄膜表面存在尺寸300- 800 m之間﹑高度小于100 nm的品粒凸起，同時(shí)還存在著一些細(xì)小分散相 這同文獻(xiàn)報(bào)道的結(jié)果一致?lián)Q言之,所制備的DLC薄膜由石墨碎片﹑布基蔥和金剛石晶粒組成,各組分以新型共價(jià)鍵組成網(wǎng)架結(jié)構(gòu),從而使得DLC薄膜具有良好的力學(xué)性能凸起的晶粒相含有大量sp3雜化的碳原子,故其硬度比細(xì)小分散相的大,而石墨碎片分散相主要由sp’雜化的碳原子所構(gòu)成當(dāng)真空熱處理的溫度低于500℃時(shí)，凸起晶粒的尺寸幾乎保持不變;隨著溫度繼續(xù)升高,DLC薄膜發(fā)生石墨化,表面層碳的氧化加劇,薄膜致密性降低,故硬度和彈性模量降低;但當(dāng)退火溫度達(dá)到9o0 ℃時(shí),薄膜中形成大量碳化鈦硬化相,故硬度和彈性模量反而有所增大。

                                                                         圖1

a經(jīng)真空500 ℃退火處理后無(wú)Ti底層的DLc簿膜的硬度﹑彈性模量和表面形貌幾乎保持不變;經(jīng)700 ℃退火處理后硬度和彈性模量有所降低;對(duì)于含Ti底層DLC,而經(jīng)900℃退火處理后簿膜的硬度和彈性模量反而有所增大,這是由于高溫退火導(dǎo)致形成大量碳化鈦硬化相所致

b含Ti底層的DLC海膜的硬度和彈性模量比無(wú)Ti底層的DLC薄膜的低,熱處理對(duì)彈性模量的影響不大;含Ti底層的DLC薄膜經(jīng)真空400 ℃退火處理后,Ti易同氧結(jié)合形成TD:,從而同Ti的碳化過(guò)程形成競(jìng)爭(zhēng)反應(yīng),因此薄膜內(nèi)部同時(shí)含有To:和Tc

c無(wú)Ti底層的DLC薄膜經(jīng)真空700 ℃熱處理后摩擦系數(shù)保持不變;而經(jīng)空氣中500℃熱處理后簿膜的摩擦系數(shù)明顯降低,這是由于DLC簿膜在空氣中熱處理時(shí)更易發(fā)生石墨化所致

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

鈦鋁(鈮)氮/碳化物(TiAl(Nb)N/C)薄膜

鈮基超薄薄膜

離子束增強(qiáng)沉積鈮(鈦)薄膜

非晶鈮金屬氧化物薄膜

釩鋁碳 V2AlC3薄膜

超薄二氧化釩薄膜

晶圓級(jí)二氧化釩薄膜

高性能二氧化釩薄膜

三氧化二釩納米線薄膜

二氧化釩熱致變色薄膜

碳化釩薄膜

釩配合物(VO2(3-FL))和碳納米管復(fù)合薄膜

鉻鋁碳 Cr2AlC薄膜

沉積態(tài)貧鈾(DU)薄膜

鋁表面抗腐蝕多層有機(jī)復(fù)合薄膜

鋁銦鎵氮四元合金薄膜

壓鑄鋁合金表面耐蝕性銀基非晶薄膜

易降解的鍍鋁薄膜

頂層金屬薄膜

BOPP/VMCPP型鍍鋁復(fù)合薄膜

鋁合金表面(TixAly)N薄膜

鉻摻雜碳基薄膜

流延聚丙烯蒸鍍金屬薄膜（MCP）

二氧化硅薄膜

氧化鋁薄膜

以多孔碳為骨架的納米鋁熱薄膜

氧化銦錫鉭薄膜

鉭基介質(zhì)薄膜

鋁合金表面耐蝕潤(rùn)滑一體化薄膜

非晶硅薄膜

多晶硅薄膜

含鉭薄膜

抗氧化鈾鉭薄膜

摻鉭鈾薄膜

氮化鉿薄膜

氧化鈮(鉭)薄膜

鉭硅介質(zhì)薄膜

鉭鋁合金薄膜

鈮鋁碳 Nb4AlC3薄膜

XRF聚酯薄膜

釩鋁碳 V4AlC3薄膜

鉬鎢硫MoWS2薄膜

二硫化鉬和硫化鉬鎢合金薄膜

含鉬或鎢薄膜

類石墨烯二硫化鎢薄膜

二硫化鉬MoS2薄膜

層狀二硫化鉬納米薄膜

稀土摻雜MoS2薄膜

MoS2/C復(fù)合薄膜

Au NPs薄膜

MoS2/a-C復(fù)合薄膜

磁控濺射MoS2+Sb2O3防冷焊薄膜

單層/少層/多層二硫化鉬納米復(fù)合薄膜

C/N共摻MoS2復(fù)合薄膜

層狀二硫化鉬/石墨烯(MoS2/Graphene)薄膜

非平衡磁控濺射離子鍍MoS2-Ti復(fù)合薄膜

自潤(rùn)滑薄膜二硫化鉬(MoS2)和硬質(zhì)耐磨薄膜氮化鈦(TiN)

無(wú)機(jī)硫化物二硫化鉬(MoS2)固體潤(rùn)滑薄膜

**的二硫化鉬MoS2納米多層薄膜

二硒化鉬MoSe2薄膜

二維二硒化鉬（MoSe2）薄膜

稀土摻雜MoSe2薄膜

銅銦鎵硒薄膜

單層/少層/多層硒化鉬(MoSe2)薄膜

銅鋅錫硫硒薄膜

銀摻雜硒化鉬(MoSe2)薄膜

二碲化鉬MoTe2薄膜

單晶二碲化鉬(MoTe2)薄膜

單層/少層/多層二碲化鉬(MoTe2)薄膜

二維二碲化鉬(MoTe2)薄膜

半金屬M(fèi)oTe2薄膜

MoTe2及MoTe2/MoS2異質(zhì)結(jié)薄膜

二維硒化鉬薄膜

二硫化鎢（WS2）薄膜

大面積MoS2/二硫化鎢（WS2）薄膜

單層/少層/多層二硫化鎢（WS2）復(fù)合薄膜

二硫化鎢/鎢摻雜類金剛石(WS2/W-DLC)復(fù)合薄膜

二硒化鎢（WSe2）薄膜

大尺寸二硒化鎢（WSe2）薄膜

二硒化鎢（WSe2）半導(dǎo)體薄膜

單層/少層/多層二硒化鎢（WSe2）薄膜

垂直基底生長(zhǎng)硒化鎢納米片薄膜

過(guò)渡金屬硫?qū)倩锉∧る娋w

二碲化鎢（WTe2）薄膜

二碲化鎢（WTe2）和鉍薄膜

摻雜VO2薄膜

二硫化錫SnS2薄膜

錫化亞錫SnS薄膜

硫化鉍(Bi2 S3)薄膜

nO/SnS復(fù)合薄膜

CdS/CdS和CdS/Dy/CdS薄膜

可撓性P型氧化亞錫薄膜電晶體

含氧化亞錫顆粒的雙軸取向聚酯薄膜

氧化亞錫多晶薄膜

二硫化錫/三硫化二錫/硫化亞錫異質(zhì)結(jié)薄膜

錫硫化物薄膜

硫化亞錫(SnS)薄膜

電沉積硫化亞錫(SnS)薄膜

硫化亞錫(SnS)異質(zhì)結(jié)薄膜

簡(jiǎn)易硫化亞錫(SnS)微米棒薄膜

聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)/硫化亞錫(SnS)納米帶柔性薄膜

硫化亞錫(SnS)敏化納晶TiO2膜

六方氮化硼（HBN）薄膜

石墨烯-六方氮化硼（HBN）薄膜

Zn原位摻雜的P型六方氮化硼（HBN）薄膜

催化劑輔助化學(xué)氣相生長(zhǎng)高結(jié)晶六方氮化硼（HBN）薄膜

高儲(chǔ)能效率鐵電聚合物基電介質(zhì)薄膜

三硒化二銦In2Se3薄膜

硒化銦(InSe和In2Se3)納米薄膜

Cu(In,Ga)Se_2和Cu_2ZnSnSe_4薄膜

黃銅礦系薄膜

CuInSe2(CIS)薄膜

二硒化鉬（MoS2）薄膜

大尺寸單層/多層/少層二硫化鉬（MoS2）薄膜

二維硒化鉬（MoS2）薄膜

二氧化鈦納米線/二硒化鉬（MoS2）復(fù)合薄膜

二硒化鈮NbSe2復(fù)合薄膜

二硫化釩VS2薄膜

氮化碳(CNx)薄膜

高氮含量氮化碳（C3N4）薄膜

射頻磁控濺射沉積氮化碳(CNx)薄膜

氮化碳(CNx/TiN)復(fù)合薄膜

磷摻雜的石墨相氮化碳(CNx)薄膜

硒化鍺GeSe薄膜

二元化合物硒化亞鍺(GeSe)薄膜

**純相GeSe多晶薄膜

Ge-In-Se硫系薄膜 鍺-銦-硒薄膜

新型硒化鍺GeSe無(wú)機(jī)薄膜

硫化鍺GeS薄膜

硫化鍺-硫化稼-硫化鎘非晶薄膜

Li3PO4/GeS2復(fù)合固體電解質(zhì)薄膜

鍺復(fù)合磷酸鋰固體電解質(zhì)薄膜

硫化鍺玻璃薄膜

硒化鎵GaSe薄膜

硫化鎵GaS薄膜

碘化鉻CrI3薄膜

交叉狀碘化氧鉍納米片薄膜

p型碘化亞銅CuI薄膜

CH3NH3PbI3多晶薄膜

玻璃纖維布負(fù)載碘氧化鉍光催化薄膜

半導(dǎo)體碘化鉛薄膜

鈣鈦礦薄膜

二硫化鈦TiS2薄膜

二維納米二硫化鈦TiS2薄膜

二硒化鈦TiSe2薄膜

CulnSe2薄膜

CuMSe2(M=In,Ga,Ti)薄膜

Cu(In,Ga)Se2薄膜

二硒銅銦(鋁)薄膜

銦鍺碲In2Ge2Te6薄膜

鍺銻碲非晶薄膜

基于鍺銻碲與IV族碲化物交替堆垛的多層相變薄膜

二硫化錸（ReS2）薄膜

大面積二維的二硫化錸（ReS2）薄膜

二硫化錸（ReS2）納米片陣列薄膜

二硒化錸ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二維SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亞錫(SnSe)薄膜

銅鋅錫硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag摻雜SnSe半導(dǎo)體薄膜

二硒化鈀PdSe2薄膜

二硒化鈀二維晶態(tài)薄膜

二碲化鈀 PdTe2薄膜

內(nèi)嵌高密度鈀納米晶的介質(zhì)薄膜

鈀/鉑納米薄膜

鈀(Ⅱ)-鋅卟啉-二氧化鈦三元復(fù)合配位聚合物薄膜

yyp2021.3.23