鈣鈦礦/P3HT/石墨烯多異質(zhì)結光電晶體管
有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其出色的光電性能而近來備受關注。報道了基于CH3NH3PbI3-xClx鈣鈦礦/聚(3-己基噻吩)/石墨烯的多異質(zhì)結的超敏光電晶體管。由于光激發(fā)的電子和空穴被聚(3-己基噻吩)層**地隔開,因此高密度電子被捕獲在鈣鈦礦層中,從而導致對下面的石墨烯通道的強光誘導浮柵效應。該光電晶體管顯示出前所未有的超高響應率,約為4.3×10^9 A / W,每個光子的增益分別接近10^10個電子。更重要的是,該器件在從紫外線到近紅外的寬帶波長范圍內(nèi)都很敏感,這是其他鈣鈦礦光電探測器尚未實現(xiàn)的。預期新型鈣鈦礦光電晶體管將在未來作為光電檢測和成像設備找到有前途的應用。
a.帶有P3HT空穴傳輸層的鈣鈦礦/石墨烯垂直異質(zhì)結光電晶體管的示意圖(左圖)和混合光電晶體管的側視圖(右圖)。入射光子在鈣鈦礦膜中產(chǎn)生電子-空穴對。然后,由于P3HT的選擇性電荷轉移,空穴被轉移到石墨烯通道并向著源漂移,而電子仍被捕獲在鈣鈦礦膜中
b. 在P3HT/石墨烯上,CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦的**平面掃描電鏡圖像
c. 在P3HT/石墨烯上,CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦的XRD譜
d. 玻璃上CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦薄膜和CH3NH3PbI3?xClx鈣鈦礦/P3HT/石墨烯薄膜的吸收光譜。
a. CH3NH3PbI3-xClx鈣鈦礦/ P3HT /石墨烯混合光電晶體管的溝道電流在不同照度下與背柵電壓VG的關系。VDS = 0.1V。對于任何強度,在測量前將設備照明2分鐘。波長:598nm
b. 狄拉克點VD的偏移與照在光電晶體管上的光的關系。插圖顯示了光電晶體管在光照下的能帶和電荷轉移圖
cd.在不同照明水平下,設備的(c)光電流和(d)響應率(R)作為背柵電壓VG的函數(shù)
鈣鈦礦層吸收的光子會產(chǎn)生激子,由于激子結合能低(35-75meV),因此激子迅速分解成鈣鈦礦中的電子和空穴。由于能量減少,空穴通過P3HT薄膜轉移到石墨烯,而電子在鈣鈦礦層中積聚,因為鈣鈦礦材料的導帶能級遠低于P3HT的較低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級。因此,P3HT層在分離器件中的電子和空穴方面起著重要的作用,導致鈣鈦礦中積累的高密度電子。累積的電子可以導致**的負柵極電壓(VG),并通過電容耦合在石墨烯通道中誘導正載流子,這可以看作是光誘導浮柵效應,并解釋了照明下狄拉克點向正VG的位移。
產(chǎn)品供應列表:
P3HT3-己基噻吩的聚合物
共軛聚合物摻雜聚3-己基噻吩(P3HT)的碳微球復合膜
聚3-己基噻吩(P3HT)及其衍生物
P3HT有機薄膜晶體管電子器件
P3HT有機光伏電池電子器件
聚(3-己基噻吩)-b-聚十六烷氧基聯(lián)烯-b-聚(3-己基噻吩)(P3HT-b-PHA-b-P3HT)三嵌段聚合物
聚3-己基噻吩(P3HT)/C60衍生物PCBM的光敏混合聚合物光電導薄膜操控芯片
P3HT及P3HT/PCBM薄膜
P3HT:PCBM的光電導薄膜層/下導電薄膜層
聚3-己基噻吩/氧化石墨烯復合材料
聚3-己基噻吩有序薄膜
聚3-己基噻吩(P3HT)/GO復合材料(P3HT-g-GO)
十六烷基胺修飾石墨烯(co—I-IDA)與聚3- 己基噻吩(P3HT)的納米復合材料
石墨烯表面接枝聚(3-己基噻吩)分子刷材料
聚3-己基噻吩(P3HT)兩親性嵌段共聚物
聚三己基噻吩(Poly(3-hexylthiophene),P3HT)OTFT器件
聚3-己基噻吩(P3HT)分層P3HTC_(61)OTFT器件
聚3-己基噻吩(P3HT)分層C_(61)-P3HTOTFT器件
聚3-己基噻吩(P3HT)復合P3HT/C_(61)OTFT器件
聚3-己基噻吩(P3HT)分層P3HT-還原氧化石墨烯(RGO)OTFT器件
聚3-己基噻吩(P3HT)復合P3HT/可溶性并五苯(Tips-pentacene)OTFT器件
ITO/聚3-己基噻吩(ITO/P3HT)膜/TiO2/聚3-己基噻吩(TiO2/P3HT)復合膜
聚3-己基噻吩改性納米二氧化鈦光催化劑
TiO_2/P3HT納米復合微粒
導電聚合物聚3-己基噻吩(P3HT)
1,3,5-三氯苯(TCB)/氯仿混合P3HT混合溶液
聚(3-己基噻吩)(P3HT)及含P3HT的嵌段共聚物
多酸/聚3-己基噻吩光伏器件
聚3-己基噻吩/聚氧化乙烯共混薄膜
碳納米管/聚(3-己基噻吩)復合物
MWNT-g-P3HT復合物
聚3-己基噻吩:碳微球復合膜
三氯化鐵(FeCl3)作氧化劑合成聚3-己基噻吩(P3HT)
聚3_己基噻吩/ZnO 微納米球復合膜
P3HT/ZnO復合膜
聚(3-己基噻吩)單分子層納米晶須
TiO_2/聚3-己基噻吩多孔膜
MALDI-TOF MS表征聚(3-己基噻吩)
聚3-己基噻吩納米線
官能化P3HT與P3HT/CdS納米復合材料
有機/無機太陽能電池的聚(3-己基噻吩)材料
聚噻吩及其衍生物/石墨烯基納米復合材料
介孔納米TiO_2/P3HT復合材料
GO-rr-P3HT-CdS三元異質(zhì)結材料
聚3-己基噻吩/ZnO微納米球復合膜
P3HT-TiO_2異質(zhì)結太陽能電池材料
TiO2/P3HT納米復合微粒
P3HT/CdSe和P3HT/CuInSe_2雜化納米晶
聚(3-己基噻吩)二氧化鈦酞菁銅solarcellsP3HTTiO_2CuPc
P3HT-COOH/CdS納米復合材料
磷酸銀/氮摻雜石墨烯/聚3-己基噻吩復合光催化劑
全共軛p-n型嵌段共聚物
聚3-己基噻吩(P3HT-b-PHA-b-P3HT)的三嵌段共聚物
P3HT-MWCNTs光敏性復合薄膜
羧基改性P3HT及其復合納米晶
3-己基噻吩-co-吡啶共聚物(P3HT-co-PY)
P3HT/CdSe和P3HT/CuInSe2雜化納米晶
聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶體管
上述產(chǎn)品僅用于科研,不可用于人體實驗!