氧化鎂MgO晶體基片用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜等

氧化鎂（MgO）單晶基片應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2"及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。

主要性能參數(shù)

生長(zhǎng)方法：弧熔法

晶體結(jié)構(gòu)：立方

晶格常數(shù)p;a=4.130? 

熔點(diǎn)（℃）:2800

純度:99.95%

密度（g/cm3）:3.58

硬度:5.5（mohs）

熱膨脹系數(shù)（/℃）:11.2x10-6

晶體解理面<100>

光學(xué)透過(guò):>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）

介電常數(shù):ε=9.65

尺寸:10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，

厚度:0.5mm，1.0mm

拋光:單面或雙面

晶向:<001>±0.5o

晶面定向精度:±0.5°

邊緣定向精度:2°（特殊要求可達(dá)1°以?xún)?nèi)）

斜切晶片:可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片

主要特點(diǎn)

 由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。

主要用途

用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。

以上資料來(lái)自小編axc,2022.04.20

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。