陶瓷靶材是比較脆的靶材，通常陶瓷靶材都會綁定背板一起使用.背板除了在濺射過程中可支撐陶瓷靶材，還可以在濺射過程中起到熱傳遞的作用.陶瓷靶材的種類很多，應用范圍廣泛，主要用于微電子領域，顯示器用，存儲等領域.陶瓷靶材作為非金屬薄膜產業發展的基礎材料，已得到空前的發展

陶瓷靶材的種類及各自應用

按應用來分,可分為半導體關聯陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、磁記錄陶瓷靶材、光記錄陶瓷靶材、超導陶瓷靶材、巨磁電阻陶瓷靶材等.

半導體關聯陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要應用于柵極電介質膜.飩化膜,擴散阻擋膜,電容器絕緣膜,透明導電膜;

顯示陶瓷靶材 ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO ，主要應用于電致發光薄膜發光層，電致發光薄膜絕緣層

磁記錄陶瓷靶材 Si3N4 ，主要應用于磁頭，磁光盤(MO)保護；

光記錄陶瓷耙材 Si3N4, 主要應用于光盤保護膜；

超導陶瓷靶材 YbaCuO, BiSrCaCuO ，主要應用于超導薄膜；

巨磁電阻陶瓷靶材， 主要應用于薄膜太陽能電池窗；

其它應用靶材 InO，LiNbO， BaTiO, PZT. ZnO ，主要應用于太陽能電池，壓電薄膜

按化學組成，可分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.其中平面顯示ITO陶瓷靶材國內已廣泛生產應用.高介電絕緣膜用陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材具有廣闊的應用前景.

陶瓷靶材的制備工藝

烘料:稱量前將起始原料置于烘箱中烘料3~6小時,烘料溫度為100~120

配料：將烘干的原料按照相應的化學計量比稱量；

球磨：將稱量好的原料以某種制備方式混料，混料時間為4~12小時，制成均勻漿料；

干燥：將制得的均勻漿料烘干；

煅燒：將烘干的粉料過篩并輕壓成塊狀坯體置于馬弗爐中，在800~950℃煅燒4~8小時，制成

球磨：將煅燒后的粉料研磨成細粉，再次球磨、烘干得到陶瓷粉料；

制坯：將制成的陶瓷粉料采用鋼模手壓成直徑5~20mm、厚度約0.5~1.2mm的樣片，將樣片放入冷等靜壓機中，施加200~350MPa的壓力，保壓60~180s,制成所得陶瓷坯體；

燒結：將制成的陶瓷坯體置于馬弗爐中，在1100~1200℃燒結4

冷卻：自然冷卻至室溫，即制得某種陶瓷靶材.

注:提供的溫度、時間僅當作參考數據.

陶瓷靶材的特性要求

純度：陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大，純度越高，濺射薄膜的均勻性和批量產品的質量的一致性越好.

密度:為了減少陶瓷靶材的氣孔,提高薄膜性能,要求濺射陶瓷靶材具有高密度.

成分與結構均勻性：為保證濺射薄膜均勻，尤其在復雜的大面積鍍膜應用中，必須做到靶材成分與結構均勻性好.

相關產品

Sb2S3納米棒

Sb2S3納米量子點

Sb2 S3/ZnO納米棒

啞鈴狀Sb2S3晶體

四棱柱狀Sb2S3納米棒

生長的Sb2S3修飾的TiO2納米帶復合物

二元硫化物(Sb2S3、Ag2S、Cu S、Cu2S、Cd S、Bi2S3)作為敏化劑修飾的Zn O納米陣列

不同形貌的Sb2S3晶體（棒狀,管狀,蝴蝶結狀,花狀,稻草捆狀）

ZnO/ZnS/Sb2S3納米陣列

Sb2S3修飾枝狀TiO2陣列

西安齊岳生物科技有限公司可以提供各種二維晶體材料以及晶體基片，如HfTe2 碲化鉿晶體、HfSe2 硒化鉿晶體、HfS2 硫化鉿晶體、GeSe 硒化鍺晶體、GaTe晶體、GaSe 硒化鎵晶體、Fe3GeTe2晶體、CuS 晶體、CdI2晶體>10平方毫米、BiTe晶體、BiSe 晶體、硫化鉍 Bi2S3 晶體、Bi2O2Te 晶體、AgCrSe2晶體、hBN 六方氮化硼晶體等等;  我們提供的產品僅僅用于科研,不能用于臨床,也提供二維晶體粉末材料.  

產地 ：西安

純度：99%

溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實驗！

小編：ysl2022.04.28