AginS2量子點

I-II-VIAIS作為一種直接帶間隙的三元硫化合物，在跳躍過程中不需要聲子的參與，具有較高的發光效率。低溫時形成方形黃銅礦結構，帶間隙為1.87ev；高溫時形成正交相結構，帶間隙約2.03ev，體材的激子波爾半徑約5.5nm。Ag+具有較高的反應活性，在低溫下可以改變前驅體的比例。反應溫度溫度。活性劑量。混合形成固溶體或核殼結構，獲得粒子半徑為5.5nm，具有不同的結構。可見光譜區**熒光AIS量子點顏色亮度可調。

與二元半導體相比，AIS量子點作為一種三元半導體材料，其合成制備的可變因素更加豐富。由于Ag+和In3+的反應活性差異很大，它們與S之間形成的鍵能不同，容易產生缺陷，缺陷對量子點的發光性能有重要影響。因此，通過控制不同的組件，可以影響所得量子點的發光性能。同時，由于AIS量子點尺寸僅為幾納米，量子限域效應強，具有尺寸可調的光學性質，但同時具有較高的比表面積，大量懸掛鍵和缺陷成為載流子的非輻射流子的非輻射跳躍通道，降低了熒光量子改進措施是將另一種半導體材料包裹在量子點表面，形成核殼結構。殼體結構在發光核與外部環境之間提供了物理屏障，大大提高了核納米晶體的敏感性，從而大大提高了核納米晶體的敏感性。

因此，如何**平衡兩個陽離子之間的反應活性，使用適量的表面涂層劑。表面活性劑。混合形成核殼結構，控制形成缺陷。粒徑均勻。結晶性能好、熒光效率高的AIS量子點已成為該領域研究的熱點和難點。目前，研究人員通常與Zn（Zns）混合，形成Zn-Ag-In-S（ZAIS）固溶體或核殼結構。近年來，AIS量子點的制備取得了長足的發展。

目前，**的有機相AIS系統量子點主要采用單前驅體熱解法和熱注入法。

4.1.1單一前驅熱解法以日本**古屋大學T.Torimot研究小組為代表，采用單一前驅熱解法13.18:將含有Ag.In.S的前驅體合成為單一前驅體Ag.Ine-e)S.CN(CH)23-2.)或引人Zn，通過控制前驅體比例(改變X值)，在一定溫度下分解。

量子點(quantumdots一種由多個原子組成的準零維納米結構，半徑小于或接近體材料的激子玻爾半徑。其小尺寸使準連續能帶演變成類似分子的分立能級結構，表現出強烈的量子限域效應，使材料的光學、電學等性質可以調和，從而具有一系列新的光電性能。

從1981年量子點的發現到短短30年的時間里，量子點從制備到應用都取得了快速的發展。在半導體量子點的眾多可觀性質中，其獨特的光學性能(發光.斯托克斯位移大.發光效率高.發光穩定性好)成為近年來研究的焦點，取得了重大進展。特別是二元CDSE.PBS等量子點已廣泛應用于LCD.LED.生物.太陽能電池.光催化.非線性設備等領域。

然而，重金屬CD.PB等元素不環保，毒性大，**地限制了其應用。因此，人們將目光轉向AIS.CuInS2(CIS)等低毒三元I-II-VI系統量子點材料，不含重金屬元素。這種量子點不僅具有量子點的**性能，而且有望取代CD系量子點在各個領域的應用，具有低毒環保的優勢。

產地：西安

純度：99%

用途：僅用于科研

以上資料來自小編lh 2022年4月8日

溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實驗！

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