本文采用多種多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點，并通過溶液共混法制備了透明的量子點/PVB復合材料。同時，通過紅外光譜(IR)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外光譜(UV)、熒光光譜(PL)等測試手段對POSS修飾的量子點以及復合材料的結構和熒光特性進行了詳細的研究。　

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點的制備方法

將一定量的POSS-SH和4ml非極性有機溶劑加入到單口燒瓶中，置于搖床中振蕩，使POSS-SH完全溶解。隨后，將4mlCdSe/CdS/ZnS核殼量子點加入到上述溶液中，室溫下中速振蕩8h。反應結束后避光保存。

POSS-SH修飾CdSe/CdS/ZnS核殼量子點的實驗原理

基于巰基與金屬之間的相互作用，用巰基化合物對量子點進行表面修飾是一-種**的方法。使用POSS-SH與CdSe/CdS/ZnS核殼量子點進行配體交換，制備了QDs@POSS-SH，如圖2-2所示。

兩種不同發射波長的CdSe/CdS/ZnS及其對應QDs@POSS-SH在日光和紫外線照射下的宏觀狀態如圖2-3所示(未修飾和經POSS-SH修飾的量子點的濃度相同)。在紫外光照射下，CdSe/CdS/ZnS及其對應QDs@POSS-SH發射出特定波長的光，分別為紅色和黃色。這是因為量子點由于量子限域效應而使電子和空穴在三個空間方向上的運動受到限制，受激后發出熒光。

兩種不同發射波長的CdSe/CdS/ZnS和QDs@POSS-SH的熒光光譜如圖2-7所示。紅光量子點和黃光量子點的發射波長分別為630nm和580nm，半高峰寬(FWHM)均為28nm。經POSS-SH修飾后，量子點的熒光強度提高了10%。

圖2-10為QDs@POSS-SH的透射電鏡圖。圖2-10A中量子點經修飾后分散性好，無團聚出現。圖2-10B和C中量子點排列規整，分別自組裝呈三角形和圓形結構。從圖2-10D中可以觀察到量子點的晶格結構，量子點星陣列結構。圖2-10E為圖2-10D中圓圈中單個QDs@POSS-SH的放大圖，可以看出，經POSS-SH修飾后，量子點被POSS-SH包覆，粒徑為7.5nm。TEM表明POSS-SH成功地修飾了量子點。

量子點定制產品目錄：

CdSe量子點修飾鈦酸鈉納米管

碳量子點修飾二氧化硅SiO2@CDs

PGMA-g-EDA聚合物修飾量子點(PGMA-g- EDA-QDs)水溶性

3-巰基丙酸(MPA)包覆碲化鎘量子點(CdTe QDs)

碲化鎘量子點CdTe QDs修飾金電極(CdTe QDs/Au E)

硼摻雜石墨烯量子點(B-GQDs)

碳量子點修飾石墨相氮化碳(CQDs/g-C3N4)

CdTe量子點修飾ZnO納米棒/GaN發光二極管

石墨相氮化碳量子點修飾球形Bi2WO6

Z-型結構g-C3N4/Bi2WO6

C量子點修飾BiVO4釩酸鉍納米片

CoP量子點修飾g-C3N4石墨相氮化碳

碲化鎘CdTe量子點修飾燈塔探針

二硫化鎢/二硫化鉬量子點

MoS2量子點摻雜聚苯乙烯材料

二硫化鉬量子點-氧化石墨烯復合材料GO/MoS2

四氧化三鐵修飾二硫化鉬量子點Fe3O4@MoS2量子點

二硫化鉬改性聚酰亞胺

錳摻雜二硫化鉬量子點

Co摻雜的MoS2二硫化鉬量子點

Mn摻雜的ZnS量子點

透明質酸修飾AgInS2/ZnS量子點

CdSe/ZnS量子點摻雜聚甲基丙烯酸甲酯材料

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.08

以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體。