中文名稱:CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯
英文名稱:CdSe/ZnSquantumdotsdopedpolymethylmethacrylate
簡稱:PMMA/CdSe-ZnSQDs
其它別稱:聚甲基丙烯酸甲酯/硒化鎘-硫化鋅核殼量子點(diǎn)(PMMA/CdSe-ZnS),
CdSe/ZnS(核/殼)量子點(diǎn)摻入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚合物
純度:98%
包裝:mg級和g級
貨期:一周
地址:西安
廠家:西安齊岳生物科技有限公司
CdSe/ZnS(核/殼)量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的制備方法
1.在室溫下,將CdSe/ZnS量子點(diǎn)溶液稀釋后待用,將甲基丙烯酸甲酯(MMA)和偶氮二異丁腈(AIBN)混合,置于燒杯中。
2.將燒杯放在油鍋中,在90°C環(huán)境下攪拌約15min。觀察到燒杯中混合溶液達(dá)到一定粘度時停止攪拌。取少量混合溶液移至三口燒瓶內(nèi),并注入CdSe/ZnS量子點(diǎn)溶液,將其進(jìn)行超聲振蕩10min。
3.將三口燒瓶移至磁力攪拌器上,通入氬氣后進(jìn)行隔氧加熱,攪拌蒸發(fā)。直到三口燒瓶中混合溶液不再有氣泡出現(xiàn),即三口燒瓶中混合溶液的正己烷完全蒸發(fā)掉,并使CdSe/ZnS量子點(diǎn)在PMMA中分布均勻。通過此方法制備CdSe/ZnS量子點(diǎn)不同摻雜濃度的(CdSe/ZnS)/PMMA樣品。將制備的PMMA以及(CdSe/ZnS)/PMMA樣品注入到模具,置于恒溫爐固化成薄片。
我們將CdSe/ZnS(核/殼)量子點(diǎn)摻入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),形成(CdSe/ZnS)/PMMA量子點(diǎn)摻雜光纖材料。測量了不同摻雜濃度下的(CdSe/ZnS)/PMMA的吸收譜,發(fā)射譜和折射率。與正己烷溶劑中的CdSe/ZnS量子點(diǎn)比較,PMMA基底不改變CdSe/ZnS量子點(diǎn)的吸收和發(fā)射峰值波長。在摻雜質(zhì)量濃度范圍0.013~0.130mg·mL-1內(nèi),實(shí)驗(yàn)觀測到了光致熒光(PL)峰值強(qiáng)度具有單峰并呈指數(shù)平方變化的規(guī)律。隨摻雜濃度的增加,常溫下折射率大可提高0.0013,PL輻射峰波長出現(xiàn)紅移并逐步增大,大紅移量受限于斯托克斯頻移。紅移產(chǎn)生的原因?yàn)榱孔狱c(diǎn)的二次吸收-發(fā)射和摻雜濃度效應(yīng)
由圖1可見,PMMA基底中CdSe/ZnS量子點(diǎn)(直徑為5.5nm)的一吸收峰位于600nm,熒光峰位于615nm,斯托克斯頻移為15nm,與先前測量的在正己烷中的吸收峰和發(fā)射峰波長一致。因此,可認(rèn)為PMMA基底沒有改變CdSe/ZnS量子點(diǎn)吸收譜和發(fā)射譜波長。
量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄:
氮化硼量子點(diǎn)修飾納米環(huán)狀磁性氧化石墨烯復(fù)合材料
WO3量子點(diǎn)修飾TiO2納米管陣列(WO3/TiO2-NTAs)
石墨烯量子點(diǎn)修飾BiOI/PAN柔性纖維|碘氧化鉍(BiOI)
GQDs修飾BiOI/PAN纖維復(fù)合材料(GQD-BiOI/PAN)
碳量子點(diǎn)修飾g-C3N4/SnO2復(fù)合材料
碳量子點(diǎn)(CQDs)修飾PrFeO<SUB>3/ATP復(fù)合材料
單分散g-C3N4量子點(diǎn)修飾一維棒狀BiPO4微晶(g—C3N4/BiPO4)
Ag3PO4量子點(diǎn)修飾Ag3PO4/Bi2WO6異質(zhì)復(fù)合材料
廠家:西安齊岳生物科技有限公司
以上資料來自小編axc,2022.03.08
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體。