通過水相法合成了一種新型的多巰丙基poss(OctamercaptopropylPOSS，0M-POSS)修飾的CdTe量子點，該量子點的熒光量子產率高可達95%，本文我們討論了量子點的合成參數如CdTe比例、pH值、NAC/Cd比例等對量子點生長及發光性質的影響，同時對OM-POSS修飾的CdTe量子點的光穩定性和穩定性進行了研究。

OM-POSS修飾的CdTe量子點的制備與純化在可控合成NAC修飾的CdTe量子點的基礎上，我們制備OM-POSS修飾的CdTe量子點，其制備過程如下。

**將0.061g的OM-POSS溶于20mL四氫呋喃(THF)中，攪拌10min后，逐滴加入NAC水溶液，其中NAC的量為1.2mmol，二者攪拌10min混合均勻后加入1mmol的CdCh2。5H2O室溫攪拌30min，得到含Cd²⁺的前驅體溶液，后續實驗步驟與NAC修飾的CdTe相同，其中NAC/OM-POSS20:1。量子點純化過程中，先用THF除去未反應完全的OM-POSS，然后再用乙醇除掉其他的多余試劑及副產物。

OM-POSS修飾的高生物相容性CdTe碲化鎘熒光量子點的光譜表征

OM-POSS修飾的高生物相容性CdTe碲化鎘熒光量子點的結構表征

OM-POSS修飾的高生物相容性CdTe碲化鎘熒光量子點的透射電子顯微鏡(TEM)表征

我們利用透射電子顯微鏡(TEM)來評價POSS-CdTe量子點的尺寸和形貌，如圖2.11所示，熒光發射波長在554nm處的POSS-CdTe量子點星均勻分散的近球形，粒度分布比較均一，約為2.7nm。

小結：我們制備了OM-POSS修飾的CdTe量子點，并且通過IR，xPs，EDS等測試手段證明了OM-POSS對CdTe的成功修飾，通過XRD和TEM表征了POSS-CdTe量子點的結構和形貌。紫外可見吸收光譜和熒光發射光譜表明，經過OM-POSS修飾后CdTe量子點的生長速度明顯降低，這是因為多巰基的OM-POSS與C8離子形成了更穩定的絡合物所致。在紫外光和有氧環境中，POSS-CdTe量子點可以保持非常好的光穩定性；而且POss-CdTe量子點在存放幾個月后，依然可以保持很高的熒光強度，具有很好的穩定性。這是因為NAC和OM-POSS兩種修飾劑可以與Cf在量子點表面形成一層Cd-SH絡合物，這一絡合物包覆在CdTe量子點表面，可以有*鈍化量子點表面，使得量子點保持良好的發光性能。

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以上資料來自小編axc,2022.03.07

以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體。