我們通過連續(xù)離子層吸附反應(yīng)修飾了CdS和CdSe量子點的ZnO納米棒陣列運用到了光電化學(xué)水分解領(lǐng)域，在TiO2納米棒陣列上通過連續(xù)離子層吸附反應(yīng)的方法修飾CdS量子點的大致流程如圖4-4所示。修飾方法如下：

（1）先將TiO2納米棒陣列浸入Cd(Ac)2的甲醇溶液中30s，取出后用甲醇進行沖洗，

（2）然后浸入到Na2S·9H2O的水和甲醇的混合溶液中30s，取出后用甲醇沖洗，這樣反復(fù)多次即可在TiO2納米棒的表面修飾上CdS量子點。

（3）當(dāng)修飾PbS量子點時，操作步驟與修飾CdS類似，將基片浸入Pb(Ac)2的甲醇溶液中30s，取出后用甲醇進行沖洗，然后再浸入到Na2S·9H2O的水和甲醇的混合溶液中30s，取出后用甲醇沖洗。這樣就能對覆蓋有TiO2納米棒陣列的基片進行PbS量子點和CdS量子點的修飾。

在對TiO2納米棒陣列修飾了PbS和CdS量子點后，通過掃描電子顯微鏡對樣品的橫截面部分進行了觀察如圖4-5所示。通過觀察，發(fā)現(xiàn)PbS和CdS量子點能對TiO2納米棒陣列表面實現(xiàn)較均勻的大面積的覆蓋。

為了證實通過連續(xù)離子吸附反應(yīng)能夠在TiO2納米棒陣列上修飾PbS和CdS，主要通過XRD圖來對成分的晶相進行表征如圖4-6所示。在圖4-6中，可以看到圖中黑線代表的是FTO導(dǎo)電玻璃中SnO2的衍射峰。

為了觀測PbS和CdS在TiO2納米棒表面所所呈現(xiàn)的形貌，通過放大倍數(shù)更高的透射電子顯微鏡的高分辨圖像進行觀察，如圖4-7所示。通過圖4-7的表征，PbS和CdS是以量子點的形式吸附在TiO2的表面上。并且量子點在TiO2納米棒的表面呈現(xiàn)出較高的覆蓋率。量子點的尺寸在5-10nm。這樣就能表明通過連續(xù)離子層吸附反應(yīng)能夠?qū)?/span>TiO2納米棒陣列修飾上PbS量子點和CdS量子點。

其他量子點定制產(chǎn)品：

CdSe/CdS復(fù)合量子點修飾P3HT/CdSe/CdS/TiO2雜化太陽能電池

PbS QDs修飾多壁碳納米管(MWCNT)

Cu2S QDs修飾多壁碳納米管(MWCNT)

巰基丙酸修飾CdTe@ZnS量子點

巰基化合物修飾CdTe量子點

巰基乙酸,TGA修飾CdTe量子點(TGA-CdTeQDs)

L-半胱氨酸,L-Cys修飾CdTe量子點

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二巰基辛酸修飾CdSe/ZnS量子點

PEG修飾ZnO量子點

環(huán)糊精修飾CdSe量子點

L-Cys/MPA共修飾CdTe量子點

L-半胱氨酸(L-Cys)和巰基丙酸(MPA)共修飾CdTe量子點

肼修飾的石墨烯量子點(HM-SGQDs)

GSH-TGA共修飾CdTe量子點

巰基化殼聚糖修飾CdTe量子點粉末

以上資料來自小編axc,2022.03.07

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。