具有拓撲半金屬和準二維的特性的五碲化鋯材料
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新型可解離準二維拓撲半金屬材料
線性色散形成的朗道能級與允許的光學躍遷。
與根號磁場線性關系回旋共振,無質量費米子的**現象。
五碲化鋯非平庸的拓撲性質和微小的**質量。
通過強磁場下的光譜和輸運研究,證明五碲化鋯材料同時具有拓撲半金屬和準二維的特性。拓撲半金屬的元激發準粒子,具有線性色散和無質量特性的狄拉克費米子,導致其高磁阻,**散射,高遷移率等優越的電學特性。
五碲化鋯強烈的二維特征和準二維費米面。只有垂直于二維平面的磁場分量才對體系產生影響。
五碲化鋯強烈的各項異性。面外方向電子**質量比面內大兩個數量級。
該材料可以被解離成長寬比過千的納米帶。分析原因是二維層內碲-碲鍵的作用力也很弱。這就提供了用機械剝離的方法,來獲得準一維材料的機會,為研究低維性質提供全新的思路。
產品列表:
撲絕緣體材料 | As2Te4(碲化砷) | As2Te4碲化砷單晶 |
碲化砷As2Te4(Se1-xTex)3 | ||
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Bi2Se3 硒化鉍晶體 | ||
單層/少層硒化鉍(Bi2Se3)薄膜 | ||
Bi2Se3/C納米復合材料 | ||
Bi2Se3硒化鉍單晶薄膜 | ||
多功能硒化鉍納米復合物 | ||
Bi2Se3 硒化鉍孤立晶粒 | ||
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少層硒化鉍納米片及其納米金-硒化鉍復合材料 | ||
In摻雜Bi2Se3(Bi2–xInxSe3)單晶 | ||
硒化鉍與摻銅硒化鉍薄膜 | ||
BSA-Bi2Se3硒化鉍 | ||
Bi2Se3硒化鉍納米復合熱電材料 | ||
分子束外延生長Bi2Se3拓撲絕緣體 | ||
硒化物CuGaSe2和Bi2Se3復合物 | ||
少數層硒化鉍納米片 | ||
少層拓撲絕緣體硒化鉍(Bi2Se3) | ||
拓撲絕緣體硒化鉍納米復合物 | ||
Bi2Te3(碲化鉍) | Bi2Te3 碲化鉍晶體材料 | |
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Bi2Te3 碲化鉍半導體材料 | ||
熱電納米材料碲化鉍(Bi2Te3) | ||
單層/多層/少層Bi2Te3碲化鉍材料 | ||
光熱協同致電的碲化鎘/碲化鉍 | ||
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碲化鉍基熱電薄膜 | ||
聚苯乙烯磺酸/碲化鉍氣凝膠復合熱電材料 | ||
摻雜Ag,Au,SiO2的納米碲化鉍 | ||
納米碲化鉍Bi2Te3 | ||
Sb2Te3(碲化銻) | Sb2Te3碲化銻薄膜材料 | |
Sb2Te3 碲化銻晶體材料 | ||
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Sb2Te3 碲化銻紅外量子點 | ||
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熱電材料高純碲化銻Sb2Te3 | ||
二維碲化鉍晶體材料 | ||
多孔碳/碲(RHPC/Te)復合材料 | ||
原位電子束誘導碲化銻(Sb2Te3) | ||
氟化鍶和碲化銻納米材料 | ||
鈧摻雜碲化銻相變材料 | ||
Sb2Te3體系拓撲絕緣體 | ||
Bi2Se5Te15(硫酸鉍) | Bi2Se5Te15硫酸鉍晶體材料 | |
Bi2Se5Te15硫酸鉍粉末材料 | ||
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Bi4Te15S5粉末材料 | ||
Bi4Te15S5薄膜材料 | ||
BiTITe | BiTITe薄膜材料 | |
BiTITe粉末材料 | ||
BiTITe晶體材料 | ||
絕緣體材料 | MICA白云母 | 片狀/層狀MICA白云母晶體薄片 |
六方晶體細粒MICA白云母 | ||
薄片無色透明MICA白云母 | ||
白云母(10片裝) MICA muscovite V1 | ||
白云母(5片裝) MICA muscovite V1 (Muscovi | ||
白云母(1片裝) MICA muscovite V1 (Muscovi |
溫馨提示:西安齊岳生物供應產品僅用于科研,不能用于人體.