近年來,多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)由于其特有的納米籠狀結構在材料領域引起了關注, OA-POSS分子結構中具有的氨基基團(-NH2) 經過生物偶聯劑活化后可以與表面帶負電基團( 如羧基-COOH)的量子點以共價鍵相連,從而修飾于量子點表面,增加量子點的生物相容性。這種方法合成過程簡單,且制備的量子點仍然可以保持較小的尺寸,有利于其在生物醫學領域的應用。
本文,我們以OA-POSS作為表面修飾劑合成了具有高生物相容性、光穩定性強的近紅外發光的CdSeTe量子點,并將其成功應用于細胞標記研究。激光共聚焦熒光圖片表明POSS-CdSeTe量子點確實可以進入細胞進而實現細胞標記應用。
我們將一 定量的偶聯劑EDC加入到CdSeTe量子點溶液中攪拌30 min后,加入OA-POSS溶液后室溫攪拌4 h,其中CdSeTe. EDC、OA-POSS的摩爾比為固定值1:5000:10。 反應結束后,將量子點按照5.2.2 中的方法提純。經OA-POSS修飾前后的量子點分別記為CdSeTe量子點和POSS-CdSeTe量子點。
我們利用透射電子硅微鏡(TEM)求評價POSS-CdSeTeL量子點的尺寸和形貌,熒光發射波長在681nm處的POSS-CdSeTeL呈均勻分散的近球形, 粒度分癤比較均一, 約為4.3nm.
利用激光共聚焦熒光成像研究量子點對細胞的標記成像。染色后的細胞用Olympus FV300激光共聚焦系統輔以40x水鏡(NA-1.25)掃描成像,光電倍增管采集熒光。微分干涉圖像用488 nm Ar激光掃描,經570 nm以上光通道采集紅色熒光信號,SiHa 細胞在60 μg/mL的濃度下孵育24 h后進行細胞成像。
OA-POSS修飾近紅外發光CdSeTe量子點的光穩定性和穩定性測試
我們對POSS-CdSeTe量子點進行了光穩定性研究。為了測試POSS-CdSeTe量子點的光穩定性,將量子點溶液置于高功率紫外燈下連續輻照2h,間隔-定時間測試并記錄量子點的熒光發射光譜強度,如下圖所示,經過2 h的紫外光輻射后,POSS-CdSeTe 量子點熒光強度有輕微的下降,但依然保持著非常高的熒光強度,2 h輻照后的量子點熒光強度為初始強度的93%。
POSS種類繁多,其具體區別主要依據R基的種類和個數,因此其應用范圍較廣,名稱也是根據R基的不同的取名,例如當R基為乙烯基、氨基、苯基時可分別稱之為乙烯基POSS、氨基POSS和苯基POSS等等。西安齊岳生物供應的poss主要有: 甲基poss、乙基poss、 乙烯基poss、 苯基poss、 烯丙基poss和含氫poss等。
八辛基籠狀聚倍半硅氧烷
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八十二烷基籠狀聚倍半硅氧烷
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八環氧環己基乙基籠狀聚倍半硅氧
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八苯胺丙基籠狀聚倍半硅氧烷
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丙烯酰氧丙基籠型聚倍半硅氧烷
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