碘化鉛(PbI2)薄膜的生長機制及表征(圖文并茂)
通過塊材晶體機械剝離或物理氣相沉積合成的微米級薄片已經顯示出大量應用,從室溫下的低閾值激射到具有大響應率和更快響應的高性能光電探測器。然而,具有良好控制取向的PbI2外延薄膜的大面積厘米級生長一直具有挑戰性。此外,PbI2外延薄膜中晶界的性質仍然難以捉摸。
有鑒于此,近日,我們使用云母作為模型襯底,揭示了大面積外延PbI2薄膜的生長機制。導致未聚結晶疇的部分生長揭示了云母上外延PbI2薄膜中反轉晶疇的存在。通過將實驗結果,還可以了解控制生長機制的熱力學和動力學因素,這為在其他襯底上合成大面積PbI2和在單晶石墨烯上合成PbI2異質結鋪平了道路。
圖文導讀
圖1. 在云母上以3 ℃/min升溫速率生長的PbI2薄膜的表征和晶體結構。
圖2. 云母上PbI2薄膜的表征。
圖3. 未聚結的PbI2三角形和薄膜的EBSD測量。
圖4. 以37 ℃/min升溫速率生長的PbI2薄膜的晶體結構表征。
圖5. PbI2環和襯底之間的相互作用
圖6. 生長速率對薄膜光學性能的影響。
圖7. 對于以37 ℃/min升溫速率生長的樣品,石墨烯晶體上PbI2薄膜的結構表征。
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