2D二維結(jié)構(gòu)硒化錫SnSe的各向異性生長(zhǎng)(含圖)

西安齊岳生物科技有限公司將從零維/一維/二維/三維四個(gè)分類來提供幾十個(gè)產(chǎn)品分類和幾千種納米材料產(chǎn)品，材料的材質(zhì)包含金屬納米材料和非金屬納米材料以及他們的氧化物或碳化物及復(fù)合定制材料等等，產(chǎn)品粒徑從5納米-2000納米均可選擇。

二維（2D）材料沿特定晶軸的可控各向異性生長(zhǎng)對(duì)于探索與晶軸相關(guān)的性能至關(guān)重要，這是由于不同晶軸中原子排列的不同引起的，而相關(guān)研究仍不足。

鑒于此，近日，我們從實(shí)驗(yàn)和理論角度證明了2D SnSe在不同晶軸方向上可控各向異性生長(zhǎng)的系統(tǒng)研究。2D SnSe的各向異性生長(zhǎng)歸因于zigzag邊緣（沿b軸）和armchair邊緣（沿c軸）之間原子結(jié)構(gòu)和鍵合特征的差異，以及a軸基面的化學(xué)惰性。STEM圖像進(jìn)一步驗(yàn)證了矩形2D SnSe的長(zhǎng)邊是armchair邊緣，而短邊是zigzag邊緣。氫氣可以**地調(diào)節(jié)沿b軸和c軸的生長(zhǎng)速率，這歸因于氫氣在不同邊緣結(jié)構(gòu)之間的脫附能不同。較高的氫氣濃度導(dǎo)致較短的b軸和較長(zhǎng)的c軸。2D SnSe的形態(tài)可以在正方形納米片到線性納米線的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。就a軸而言，2D SnSe通過一步快速冷卻方法**地限制在7.42 nm的最小值，并且可以通過帶有額外退火蝕刻步驟的兩步方法進(jìn)一步減薄為雙層。這項(xiàng)研究證明了一種可行的策略，可以實(shí)現(xiàn)2D各向異性材料的結(jié)構(gòu)依賴性可控生長(zhǎng)，為各向異性材料的晶軸取向判斷以及與晶軸相關(guān)的機(jī)理提供了新的思路。

〖圖文介紹〗

圖2. 多層2D SnSe的角分辨偏振拉曼光譜。

圖3. 2D SnSe沿b軸和c軸的可控各向異性生長(zhǎng)。

圖4. 2D SnSe沿a軸的厚度可控生長(zhǎng)。

西安齊岳供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

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功能化氮化硼納米片和聚乙烯醇復(fù)合材料

鋯剛玉莫來石氮化硼復(fù)合耐火材料

鋯剛玉莫來石—氮化硼復(fù)合材料

高性能NiO/g-C3N4異質(zhì)結(jié)構(gòu)催化劑

高強(qiáng)碳纖維增強(qiáng)氮化硼陶瓷基復(fù)合材料

六方氮化硼/聚酰亞胺復(fù)合材料（PEI/hBN）

高導(dǎo)熱聚酰亞胺/氮化硼復(fù)合材料

氧化鋯氮化硼復(fù)合陶瓷絕緣件

甘露糖修飾六方氮化硼

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甘露糖修飾石墨相氮化碳量子點(diǎn)(g-CNQDs)

富勒烯C60修飾氮化硼納米片

復(fù)合光催化劑h-BN/TiO2

三氧化二硼-氮化硼陶瓷復(fù)合材料(BN-B2O3)

C3N4氮化碳納米片負(fù)載鐵納米顆粒

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非金屬層狀半導(dǎo)體g-C3N4氮化碳

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PEG聚乙二醇包裹氮化硼納米片

PEG改性g/C3N4-Cu2O復(fù)合催化劑

PDI/O-CN異質(zhì)結(jié)光催化劑

PAA修飾六方氮化硼PAA@hBN

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N-TiO2/g-C3N4復(fù)合材料

Ni負(fù)載在C3N4

Ni-BN/TiO2

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Ni/h-BN鎳包六方氮化硼復(fù)合粉末

Ni/g-C3N4材料

Ni/C 3 N 4 和A/C3N4 兩種異質(zhì)結(jié)

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Ni -摻雜Mo-MOF材料

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g-C3N4納米片與SnS納米片復(fù)合材料

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g-C3N4的非金屬摻雜主要有O、C、S、B、I、F等，

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g-C3N4氮化碳納米片負(fù)載喜樹堿CPT

g-C3N4-Pt-TiO2復(fù)合納米材料

二硫化鈷/石墨相氮化碳(g-C3N4-CoS2)復(fù)合材料

g-C3N4-CeO2復(fù)合材料

g-C3N4–Ce O2/凹凸棒石(ATP)復(fù)合光催化材料

g-C3N4-CdS復(fù)合材料

溫馨提示：西安齊岳生物科技有限公司供應(yīng)的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于其他用途，axc,2021.05.26