氧化鋨/氧化錸/二硫化鉬/二氧化鉿的復合納米材料5mg小包裝起售
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四種金屬氧化物簡單介紹:
1)氧化鋨:
CAS號:12036-02-1
性狀:黑色四方晶體。
密度(g/mL,25℃):11.5
常溫密閉,陰涼通風干燥,常溫常壓下穩定避免光,明火,高溫。溶于鹽酸、氫氟酸。在空氣中氧化為OsO4。
通常對水體是稍微有害的,不要將未稀釋或大量產品接觸地下水,水道或污水系統,未經政府許可勿將材料排入周圍環境。
2) 氧化錸:
CAS登錄號 1314-68-7
中文別名:氧化錸(VII);七氧化二錸
密度:6.103g/mL at 25°C(lit.)
外觀與性狀:黃色至綠色粉末
用途:催化劑。氧化劑。合金。
包括:七氧化二錸(Re2O7)/二氧化錸(ReO2)/三氧化錸 (ReO3)/三氧化二錸 (Re2O3)/氧化二錸(Re2O)/五氧化二錸(Re2O5)等其他錸化合物。
3)二硫化鉬:
CAS號:1317-33-5
EINECS號:215-263-9
化學式:MoS2
儲存:密封保存。
性狀:鉛灰色有光澤粉末,人工合成的呈黑色。450℃開始升華。溶于王水和熱濃硫酸,不溶于水和稀酸。相對密度(d1515)5.06。有刺激性。
用途:制造鉬化合物。潤滑添加劑。氫化反應和異構化反應催化劑
4)二氧化鉿
CAS登錄號 12055-23-1
別稱:氧化鉿(IV)
密度:9.68g/cm3
蒸發壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa
薄膜特性:透光范圍220~12000nm;
折射率(250nm)~2.15(500nm)~2
蒸發條件:用電子槍,氧分壓~1~2×10-2Pa。
蒸發溫度~2600~2800℃,基片溫度~250℃,蒸發速率2nm/s
應用領域:UV增透膜,干涉膜納米復合金屬氧化物。
制備納米復合金屬氧化物的方法主要包括兩大類,一類是液相法,或稱濕化學方法,包括共沉淀法、水熱法、溶膠凝膠法,另一類是固相法。
下面對上述方法簡單介紹如下:
共沉淀法 | 1、將含有金屬元素的化合物溶于液體中(去離子水或無水乙醇等,根據化合物的性質不同確定溶劑的種類),加入沉淀劑并攪拌,使幾種金屬離子按照比例生成沉淀,隨后將沉淀物洗滌、煅燒后,得到目標產物。 |
水熱法 | 共沉淀法的一種變形,其前驅液與共沉淀法一致,隨后將加入了沉淀劑的混合溶液放入密封的反應釜中,在高溫下(大于100℃)加熱利用水或其他溶劑的沸騰產生高壓,從而生成具有特殊形貌的沉淀。 |
溶膠凝膠法 | 與共沉淀法類似,但是溶液中不加入沉淀劑,而是加入絡合劑,使溶液中的金屬離子分布不隨著溶液的減少而發生局部的偏析,避免的產物組分發生變化。加熱溶液并攪拌,使其成為具有一定粘度的凝膠,將凝膠干燥并燒結后得到目標產物。 |
固相法 | 將含有金屬元素的化合物(一般為氧化物)直接混合、球磨、烘干,并在一定的溫度下煅燒,使不同的物質互相反應,從而生成新的相。從制備效果上來說,液相法優于固相法。 |
產品供應列表:
二氧化鉿HfO2/薄膜/晶體/層/片狀復合材料
二硫化鉬/二氧化鉿的復合納米材料
Hf(SO4)2·4H2O/HCl合成HfO2前驅液
晶態HfO2二氧化鉿薄膜
h-k氧化鉿HfO2薄膜
氧化鉿/氮氧化鉿柵介質金屬氧化物薄膜
單層二氧化鉿(HfO_2)薄膜
原子層沉積HfO2/Al2O3和ZnO/Al2O3薄膜復合材料
Al/HfO2/SiMOS薄膜
釔摻雜氧化鉿薄膜
薄膜晶體管絕緣層氮化硅二氧化鉿疊層薄膜
氧化鉿HfO基納米薄膜
硅摻雜二氧化鉿反鐵電薄膜
氧化鉿HfO晶體管高k介質材料
氮氧化鉿HfO薄膜
氧化鉿(HfO_2)納米晶態薄膜
鐵電氧化鉿HfO薄膜材料
氧化鋯和氧化鉿高介電常數薄膜
超薄HfO_2高K柵介質薄膜
氧化鉿-二氧化鋯-二氧化鈦三元氧化物的氮化硅復合材料
納米氧化鉿及碳/氧化鉿核殼結構納米復合粉體
氧化錸ReO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料
銥/錸/碳—碳復合材料
氧化錸負載于介孔氧化鋁催化劑
大孔ReO/AlO催化劑
單層二硫化錸及其復合材料
氧化錸ReO/銥材料和C/SiC復合材料
氧化鋨OsO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料
PVI-PAA-OsO/GOD復合膜
氧化鋨聯吡啶類氧化還原聚合物
氮化/氧化鋨配合物
[OsO_2R_4]~(2±) (R=CO, CN, CCH)
N-甲基嗎啉-N-氧化物/四氧化鋨
氟碳相四氧化鋨: 烯烴雙羰基化
層狀氧化鋨OsO復合材料
親水性聚合物載體承載的氧化鋨材料
氧化銥IrO2薄膜/晶體/層/片狀復合材料
RuO2-IrO2/Ta超級電容器薄膜
一層氧化鋁薄膜修飾三氧化鎢/氧化銥復合二極體材料
銥/氧化銥(Ir/IrO2)電極材料
導電氧化銥(IrO2)薄膜
硅基氧化銥(IrO2薄膜
二氧化硅改性的二氧化銥電極材料
銥及氧化銥納米材料
氧化依(IrO2)/PZT鐵電薄膜
Ti基IrO2-Ta2O5氧化物
中間涂層Ti/TiO_2-Ta_2O_5/IrO_2
納米Ag和IrO2修飾ZnO納米線
二氧化銥/銥(IrO2/Ir)pH傳感器
二氧化銥(IrO<Sub>2</Sub>)納米酶
鈦基IrO2+Ta2O5涂層陽極
氧化銥IrO2II-VI半導體材料
二氧化銥五氧化二Ti/(IrO2+Ta2O5)材料
IrO2-SnO2/Ti電極材料
IrO2-PdOx-SnO2/Ti電極材料
IrO2/Ti/IrO2—PdO/Ti電極材料
SnO2摻雜IrO2-Ta2O5涂層陽極
碳負載型IrO_2水合物復合電極材料
氧化依(IrO2)對PZT鐵電薄膜
氧化鉈TlO薄膜/晶體/層/片狀復合材料
ABS/nano—TiO2氧化鉈復合功能材料
摻氧化鉈的碘化銫復合薄膜
氧化釙Po薄膜/晶體/層/片狀復合材料
氧化鐳RaO薄膜/晶體/層/片狀復合材料
氧化鏌McO薄膜/晶體/層/片狀復合材料
氧化鉨NhO薄膜/晶體/層/片狀復合材料
氧化鑭LaO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料
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新型摻釹氧化鑭激光晶體
PET/nano-La_2O_3復合材料
聚對苯二甲酸乙二醇酯/納米氧化鑭(PET/nano-La2O3)復合材料
氧化鑭(La2O3)/低密度聚乙烯(LDPE)復合材料
二元金屬氧化物鑭鈷氧(La Co Ox)薄膜
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氧化鑭LaO前驅體溶液
氧化鑭LaO介電層薄膜
納米氧化鑭/石墨烯/硫復合材料
BaTiO3-La2O3陶瓷薄膜
大比表面氫氧化鑭,氧化鈰基拋光粉復合物
氧化鋯/氧化鑭合成ZrB-SiC復合粉體
稀土氧化鑭多層薄膜材料
新型半導體的氧化鑭基高介電柵介質材料
單斜與六方晶系La2O3納米晶
銀—氧化鑭復合電接觸材料
超親水抗反射氫氧化鑭/二氧化硅納米涂層
氧化鑭/十二烷基硫酸鈉復合中孔材料(LaOS)
Yb/Er共摻的氧化鑭釔透明陶瓷
稀土氧化鑭摻雜鉬的復合材料
MnO/CeZrLaO-AlO催化劑
可發光的三價稀土離子在碘氧化鑭
氧化鑭摻雜的二氧化鉛電極(La_2O_3-β-PbO_2)
納米鹵氧化鑭LaO
氧化鋁 (AlO)及氧化鑭(LaO)改性劑
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