1分鐘了解CVD法制備石墨烯（銅箔襯底）的制備過程

西安齊岳生物科技有限公司提供銅基石墨烯采用化學氣相沉積法（CVD），在超高純銅箔表面通過高溫化學反應，沉積不同原子層厚度的石墨烯薄膜。經加工后可應用于不同的應用產品上，本文主要介紹一下CVD法制備的工藝流程。

CVD生長石墨烯主要包括兩個路徑，一個路徑是“直接生長”，催化裂解出來的碳原子直接在催化劑表面成核、進而生長成石墨烯薄膜；

另一個路徑則是“迂回生長”，催化裂解的表面碳原子滲透進入體相溶解后，再在表面析出，成核生長形成石墨烯薄膜。兩個平行生長路徑的貢獻，取決于金屬催化劑的溶碳能力、金屬碳化物的生成及其在生長溫度下的化學穩定性。

CVD法制備石墨烯的基本過程是：

把基底金屬箔片放入爐中，通入氫氣和氬氣或者氮氣保護加熱至1000℃左右，穩定溫度，保持20min左右；然后停止通入保護氣體，改通入碳源（如甲烷）氣體，大約30min，反應完成；切斷電源，關閉甲烷氣體，再通入保護氣體排凈甲烷氣體，在保護氣體的環境下直至管子冷卻到室溫，取出金屬箔片，得到金屬箔片上的石墨烯。下圖為石墨烯的制備過程。

襯底是生長石墨烯的重要條件。目前發現的可以用作石墨烯制備的襯底金屬有8～10個過渡金屬（如Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（如Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不銹鋼）。過渡金屬在石墨烯的CVD生長過程中既作為生長基底，也起催化作用。

提供一種以銅箔上石墨烯的生長為例生長石墨烯薄膜的過程，主要包括以下三個步驟：

西安齊岳生物提供多種基底石墨烯定制化服務

(1)層數可定制：

實現單層、雙層、多層等**石墨烯定制合成服務

(2) 多種基底石墨烯定制化服務：

為客戶提供多種基底石墨烯，如 PDMS、玻璃、石英、云母、硅片、二氧化硅等石墨烯轉移服務。

(3) 特殊方法石墨烯定制化服務：如摻雜石墨烯、SiC超高載流子遷移率石墨烯定制化服務。

多種基底轉移石墨烯

石墨烯  單層CVD石墨烯 (石英基底) 1cm*2cm

石墨烯 CVD銅基單層石墨烯(10cm*10cm)

石墨烯 CVD銅基單層石墨烯(10cm*20cm)

石墨烯 單層CVD石墨烯 (硅/二氧化硅基底) 1cm*2cm

石墨烯 單層CVD石墨烯 (硅/二氧化硅基底) 2cm*2cm

石墨烯 單層CVD石墨烯--PET基底1cm*1cm

石墨烯 單層CVD石墨烯--PET基底2cm*2cm

石墨烯 單層CVD石墨烯--Si/SiO2基底 (1cm*1cm)

石墨烯 單層CVD石墨烯--玻璃基底1cm*1cm

石墨烯 單層CVD石墨烯--玻璃基底1cm*2cm

石墨烯 單層CVD石墨烯--玻璃基底2cm*2cm

石墨烯 單層CVD石墨烯--藍寶石基底1cm*1cm

石墨烯 單層CVD石墨烯--石英基底1cm*1cm

石墨烯 硅片基底石墨烯膜Graphene on Si （尺寸定制）

石墨烯 銅基單層石墨烯-5cm*10cm

石墨烯 銅基多層石墨烯 5cm*10cm

石墨烯 銅基多層石墨烯 10cm*20cm

石墨烯 銅基多層石墨烯10cm*10cm

石墨烯，鎳基多層石墨烯薄膜 （5cm*10cm）

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜

硅基底石墨烯薄膜（1*1cm）

PET基底石墨烯薄膜（1*1cm）

紫銅基石墨烯薄膜（1*1cm）

銅基石墨烯薄膜（10*10cm）

銅基石墨烯薄膜（5*5cm）

銅基多層石墨烯

石墨烯 銅基單層石墨烯-5cm*10cm

石墨烯 銅基多層石墨烯 5cm*10cm

石墨烯 銅基多層石墨烯10cm*10cm

石墨烯 自支撐三維石墨烯（已去鎳）超輕 （1cm*1cm）

石墨烯線 鍍石墨烯單晶銅線（每米）

鎳基多層石墨烯

石墨烯，鎳基多層石墨烯薄膜 （5cm*10cm）

石墨烯 泡沫鎳三維石墨烯 CVD石墨烯 （5*10cm）

石墨烯 三維石墨烯 泡沫銅三維石墨烯5cm*10cm

石墨烯 自支撐三維石墨烯（已去鎳）超輕 （1cm*1cm）

石墨烯薄膜：

單面生長銅基底石墨烯

“泡-取”式石墨烯

懸空自助轉移單層石墨烯

石英基底石墨烯

PET基底石墨烯

藍寶石基底石墨烯

鎳泡沫基底石墨烯

自助轉移鎳泡沫石墨烯

銅基底石墨烯

氧化硅片基底石墨烯

石墨烯納米銀線復合柔性透明導電膜

以上資料源于西安生物科技有限公司，提供更多CVD-石墨烯的定制化服務產品。