以Fe3O4@C為過渡產物, 通過一種非常簡便的一步硫化法合成了一種結構新穎的西瓜狀FeS2@C復合納米微球修飾的1T/2H雜化二硫化鉬納米花復合雜化材料。

圖1. FeS2@C@MoS2復合雜化材料的合成過程

對合成的FeS2@C@MoS2的微觀結構與形貌、化學組分、比電容等性能進行了系統表征及研究。所合成的FeS2@C@MoS2-200復合雜化材料表現出較高的比電容量、良好的倍率性以及循環穩定性等，其**的儲能性能可以歸因于其獨特的微觀結構。**，引入1T/2H雜化MoS2骨架可以**地提高材料的電導率，使儲能過程中的離子與電荷等可以快速移動。其次，合適的碳、FeS2和MoS2三種組分的比例可以增強FeS2與MoS2二者之間的協同反應，加速離子交換速度，達到較佳匹配效果。第三，相鄰的二維 MoS2納米片之間形成的空隙與孔可以充當“離子庫”，以促進離子在活性物質和電解質界面附近的傳輸，并在充電和放電期間緩沖體積膨脹。第四，復合雜化材料中的介孔結構可以提供更大的**比表面積和更多的離子通道，使電解液與活性電極更充分地接觸，并促進離子快速轉移。

圖2. FeS2@C@MoS2-200復合雜化材料的儲能機理示意圖

由于適當比例的MoS2骨架、碳層和FeS2的結構調配以及復合雜化材料中存在的介孔結構的協同作用， FeS2@C@MoS2-200復合雜化材料具有很高的比電容（在2 A·g-1時為1321.4 F·g-1）。在高電流密度下具有良好的循環穩定性 (1000次循環充放電后，在6 A·g-1電流密度下的比電容保持率為81.2％)。與之前報道的類似電極材料相比，所合成的FeS2@C@MoS2復合雜化材料在高電流密度下能展現非常高的比電容值與優良的循環穩定性，表明其可以在超級電容器器件的制作中作為一種非常具有潛力的材料。

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