介紹幾種調控蜂窩狀六角片層氮化硼（BN）帶隙的方法

西安齊岳生物科技有限公司可以提供各種形貌的氮化硼，碳化硼類產品，石墨烯、MAX等二維材料，提供一些C，O原子摻雜調控氮化硼，各種改性功能化修飾氮化硼復合材料。

由于六角片層蜂窩狀氮化硼（BN）具有類似石墨烯的結構，BN是一種寬禁帶半導體，摻雜可以使其很多原始性質得以改變。現在一個很重要的研究方向就是如何在保證其蜂窩狀結構的同時，使BN的帶隙得以收窄，成為一種**光催化劑。理想的光催化劑的能帶帶隙寬度應該在1.8eV到2.3eV之間。

可以通過以下幾種方式調控方式使其能帶帶隙寬度在1.8eV到2.3eV之間：

1、通過摻雜C，O原子調控

在理論上和實踐中六角片層蜂窩狀氮化硼通過摻雜C，O原子都可以使其帶隙得以調控。這種摻雜在BN材料的生長過程中和后處理過程中都可以實現。從而使半導體中產生雜質能級，提高可見光的吸收。

2、采用外加電場手段來調控雙層BN片的帶隙至可見光范圍內。

雙層BN片在外加電場大小從0逐漸增至0.015 au時，帶隙隨之可以由4.45 eV減小至0.3 eV，從而可能成為**的光催化劑。

3、Stone-Wales反位缺陷調控BN納米條帶的寬帶隙

Stone-Wales缺陷使得BN納米帶的價帶頂（VBM）和導帶底（CBM）的占據態發生變化,從而引入了缺陷能級降低了帶隙

4、應變調控BN片的能帶結構:

BN薄膜襯底上時,由于晶格失配,將產生應變。研究表明,BN片的帶隙隨拉伸應變的增加而線性減小,且其斜率不依賴與BN片的層數。

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