籠型聚倍半硅氧烷修飾介孔SiO2結構（POSS-MPS）

  一種新型的有機硅雜化材料——籠型倍半硅氧烷，其分子式為（RSiO15)n是具有納米尺度、規整的空間結構雜化材料。六面體結構頂點的硅原子與8個有機取代基R相連，R具有較低的值（2.1~2.7)，可**降低聚合物的介電常數和介電損耗因子。此外，其Si-O-Si無機內核可賦予聚合物良好的耐熱性和力學性能。

10%AP-MSU-J的合成

  稱量D2000溶于乙醇中，在室溫下攪拌均勻，加入去離子水,在45℃攪拌1 h;向上述混合液中加入TEOS和KH-550，邊加邊攪拌，在45℃保持2h。放置到恒溫振蕩儀中進行震蕩反應20 h。抽濾，水洗，在80℃干燥,得到初產物10%AP-MSU-J。按10%AP-MSU-J:乙醇=1g :50 mL的比例混合，回流2h除去模板劑，將此操作重復3次。將得到的產物于80℃進行干燥，得到10% AP-MSU-J ( MPS)，密封貯存。

POSS-MPS的合成

  將適量的G-POSS溶解于丙酮中，稱一定量MPS加入該溶液中（其中各組分的比例為丙酮︰MPS=4 g :10 mL)，超聲振蕩使其均勻分散，真空除去溶劑，80℃干燥2h，再于100℃反應2h，將所得產物粉碎即得x-POSS-MPS。x為其中G-POSS的質量分數。

POSS-MPS的結構

  G-POSS與氨基丙基接枝改性的蠕蟲型NH,-MPS（即AP-MsU-J）反應，利用環氧基與氨基的作用，在2者間形成化學鍵，從而得到POSS-MPS,其反應如圖1所示。由于POSS與氨基的反應先在孔口處進行，因此在孔口處以化學鍵連接的POSS可以阻止POSS向介孔內的填充，實現對MPS的封閉。改變POSS的用量，得到x-PoSS-MPS，可以調整MPS的封口率。

POSS-MPS的紅外譜圖

  對合成的POSS-MPS的化學結構利用紅外光譜( FT-IR)進行表征，其結果如圖2所示。

  由圖2可知，對比POSS-MPS與G-POSS的紅外譜圖發現，908 cm-1處的環氧峰消失，說明MPS中的氨基基團與POSS中的環氧基團發生了反應，POSS已接在MPS的結構上。相對于G-POSS而言，2 935 cm-1和2 870 cm-1處的峰強度減弱，但在MPS中不存在這一位置的吸收峰。這說明G-POSS與MPS上氨基的反應，使C-H的振動峰相對減弱。

  利用八環氧基POSS制備并改性的介孔SiO2納米粒子粒徑均一、單分散、尺寸可控，形成POSS-MPS結構。針對不同用量POSS修飾的MPS的物理結構，分別利用XRD、低溫N,吸附-脫附等對其分析，發現適量的POSS對MPS可以進行部分封端，形成真空結構。當此結構加入樹脂基體中，可以引入介電系數為1的空氣，提高了雜化材料的介電性、模量、Tg。

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