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疏水性量子點的二氧化硅表面修飾(SiO2)
發布時間:2021-04-12     作者:zl   分享到:

疏水性量子點的二氧化硅表面修飾(SiO2)

與親水性的QDs 相比,由于在有機體系中合成的疏水性QDs,其粒徑分布均勻、結晶度較高、晶粒穩定性和熒光穩定性強,在光電器件、發光二極管、生物成像等領域有巨大的應用前景。然而,在實際的使用過程中,需要考慮其他器件材料對QDs 的影響,周圍材料與之匹配度及QDs自身毒性所帶來的影響等一系列問題,這就需要對QDs進行一定的表面修飾。

對疏水性量子點表面修飾的早期研究主要注重在用兩親性聚合物或者磷脂進行表面包覆,形成水溶性量子點膠束,獲得了高熒光量子效率的親水性量子點。但是,聚合包覆后的量子點尺寸會增大許多,引起了熒光共振能量轉移測試等諸多應用上的問題。

近幾年來對疏水性QDs表面修飾研究的進展,發現二氧化硅是較為常用的修飾材料,主要是通過與疏水性QDs的原表面配體進行交換實現對QDs的改性,從而達到對QDs修飾的目的。就二氧化硅本身而言,具有良好的生物相容性、生物惰性,而且在水相環境中其穩定性高于常規材料;其次,二氧化硅還具有良好的透光性;然后,由于二氧化硅表面含有大量的羥基官能團,使得不同的特定官能團可以方便的與之連接,實現功能化修飾的目的。同時,使用二氧化硅對疏水性的 QDs進行表面修飾,其操作過程簡單且易于調節孔隙率,具有一定的可加工性;通過二氧化硅的修飾作用將疏水性的QDs包覆其中,可以降低QDs自身的毒性,**的改善其可親水性,增強其生物相容性;其次,使用二氧化硅包覆可以適當的防止 QDs在應用環境中發生降解;二氧化硅的包覆作用可以很好的防止 QDs發生團聚而影響其分散性和熒光強度。綜上所述,使用二氧化硅材料對疏水性的 QDs進行表面修飾是為其能夠廣泛的被應用在光電轉化器件(如薄膜材料)、發光和顯示材料、生物靶向**和病灶檢測等方面。

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常用的硅烷修飾試劑有3-疏基丙基三甲氧基硅烷(MPS)3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APS)、原硅酸四乙酯(TEOS)等。采用MPS對表面配體為三辛基氧化膦(TOPO)QDs進行了二氧化硅修飾,在堿性條件下使MPS替換原配體,且水解后的MPS通過脫水縮合在QDs的表面形成二氧化硅材質的包覆層,具體可參見圖1,同時,還可以引入帶有特定官能團的硅烷前驅物實現表面功能化。但是,硅烷化后QDs的熒光量子效率較低,僅僅達到了原來油相的10%。隨后,研究人員使用了APS對疏水性的量子點進行硅烷化修飾,并對帶有氨基的QDs進行了蛋白修飾用于體外細胞成像的研究,但是未能取得理想的效果。TEOS作為合成二氧化硅材料的試劑也被用于對疏水性的QDs進行表面修飾研究,主要用于制備二氧化硅熒光納米球。

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