Mxene納米線復(fù)合材料（碳化鈮（Nb2CTx）納米線-碳纖維布復(fù)合器件的 制備說(shuō)明）

基于無(wú)氟快速制備MXene組分納米線的能量轉(zhuǎn)換及其柔性儲(chǔ)能的應(yīng)用

自從石墨烯問(wèn)世以來(lái)，科學(xué)家們一直致力于揭開二維材料的獨(dú)特物理和化學(xué)特性的神秘面紗。然而，目前多數(shù)二維材料在高溫或高濕度的環(huán)境下存在不穩(wěn)定的問(wèn)題。自從2011年二維過(guò)渡金屬碳化物或氮化物（MXene）被Gogotsi 和Barsoum研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)后，MXene憑借其高穩(wěn)定性和高親水性的特性，在電化學(xué)催化、能量轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)等領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。 MXene通常用Mn+1XnTx（n = 1、2和3）的化學(xué)式來(lái)表示，其中M代表早期過(guò)渡金屬（例如Ti、Nb、Cr和V等），X代表C、N元素，Tx代表-OH 、-O、-Cl和-F的功能基團(tuán)。基于豐富的功能基團(tuán)，MXene能靈活地適應(yīng)各種復(fù)合系統(tǒng)，并擁有**的機(jī)械強(qiáng)度和導(dǎo)電性能。但是，常規(guī)制備MXene的方法通常涉及危險(xiǎn)的高濃度氟化物長(zhǎng)時(shí)間腐蝕的合成路線，高腐蝕性有毒的氫氟酸的不慎使用會(huì)導(dǎo)致中毒甚至有死亡的危險(xiǎn)。同時(shí)，HF刻蝕的MXene中不穩(wěn)定的-F功能基團(tuán)，亦可能會(huì)**電解質(zhì)/電極相互作用下的電化學(xué)反應(yīng)穩(wěn)定性。另外，MXene的2D堆疊結(jié)構(gòu)和鍵合力對(duì)表面動(dòng)力學(xué)和離子交換過(guò)程有影響，導(dǎo)致在某些能源開發(fā)應(yīng)用方面有所掣肘。

香港理工大學(xué)應(yīng)用物理學(xué)系郝建華教授課題組，無(wú)需使用HF從而制備出新型且穩(wěn)固的MXene化合物組分的碳化鈮（Nb2CTx）納米線-碳纖維布復(fù)合器件。這是該研究團(tuán)隊(duì)繼去年提出無(wú)氟安全合成2D MXene的通用策略（J. Am. Chem. Soc., 141, 9610 (2019)）后，利用自組裝的特性，在MXene相關(guān)化合物組分的1D/3D結(jié)構(gòu)的新突破。通過(guò)與傳統(tǒng)的2D Nb2CTx納米片以及用HF刻蝕的Nb2CTx納米線進(jìn)行比較，研究結(jié)果表明，結(jié)合合適的柔性襯底和合理設(shè)計(jì)的MXene化合物，其系統(tǒng)的儲(chǔ)能和轉(zhuǎn)化活性能都有較大的提高。與傳統(tǒng)的合成方法相比，改進(jìn)的電化學(xué)刻蝕方法的合成時(shí)間大幅縮短至4小時(shí)。利用降低的內(nèi)部電阻和較多的反應(yīng)位點(diǎn)，碳化鈮納米線展現(xiàn)出較低的釋氫和釋氧過(guò)電位。運(yùn)用新穎的設(shè)計(jì)策略，制備的水系柔性電池表現(xiàn)出較好的循環(huán)性能，在形變條件下可保持穩(wěn)定的功率輸出，其結(jié)果有助于前景廣泛的柔性儲(chǔ)能應(yīng)用。

西安齊岳生物可以提供各種不同長(zhǎng)度的納米金線，納米鈀線，納米銠線，納米釕線，納米鋨線，納米銥線，納米鉑線，納米銀線，CdS納米線，CdSe納米線，InAS納米線，ZnSe納米線等，并且我們可以提供官能團(tuán)修飾、蛋白修飾、酶修飾、DNA修飾、殼聚糖、多肽、葉酸等修飾偶連各種納米線的定制合成技術(shù)。

相關(guān)產(chǎn)品：

InAs納米線

雙勢(shì)壘InAs/InP納米線異質(zhì)結(jié)

InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)

金(Au)納米顆粒修飾的InAs納米線

InAs/GaSb超晶格半導(dǎo)體納米線

InAs/GaAs橫向異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線

InAs納米線表面生長(zhǎng)覆蓋InP包層

硅襯底上生長(zhǎng)InAs/GaSb核殼異質(zhì)結(jié)納米線

特定形貌和晶體結(jié)構(gòu)的InAs納米線

As/GaAs納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料

基于GaAs納米線側(cè)壁InAs量子點(diǎn)

GaAs納米線

非晶硅氧化物納米線的修飾

InP-InAsP納米線

Si襯底上InP納米線

Si(100),(111)襯底上成功生長(zhǎng)了InP納米線

Si/Si O2襯底上生長(zhǎng)出了In P納米線

InP/InGaAs核殼結(jié)構(gòu)納米線

Si(100)襯底上生長(zhǎng)InP/InGaAs核殼結(jié)構(gòu)納米線

InP-InAsP納米線

基于SOI襯底InGaAs/InP多量子阱結(jié)構(gòu)納米線

InP(001)基襯底上自組織生長(zhǎng)InAS量子盧

直徑約為100 nm的CdTe納米線/納米管薄膜

ZnO@ZnSe/CdS/CdSe納米線陣列

SiC碳化硅納米線

鑭/釔摻雜氮化硅納米線

P納米顆粒修飾SiC納米線

Co-P納米薄膜修飾SiC納米線

SiC納米線\SiC納米棒\SiC晶須

碳化硅納米線,SiC nanowires

Au納米顆粒修飾SiC納米線

超長(zhǎng)碳化硅納米線的化學(xué)修飾

La-N共摻SiC納米線

La2O3修飾改性SiC納米線

貴金屬納米粒子修飾SiC納米線

Pt、Pd和Ag修飾SiC納米線

原位生長(zhǎng)SiC納米線增強(qiáng)C/SiC復(fù)合材料

b摻雜sic納米線

N摻雜SiC納米線

疏水性非晶碳包覆層對(duì)SiC納米線

3C-SiC納米線

SiC納米線修飾MoS2納米片

六方柱狀SiC納米線

Si襯底上生長(zhǎng)SiC納米線

碳化硅納米線增強(qiáng)C/CSiCZrB

SiC納米線薄膜

柔性且超輕的SiC納米顆粒修飾碳纖維墊

石墨烯/碳化硅納米線復(fù)合材料

SiC納米線改性環(huán)氧樹脂

SiC納米線/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料

SiC納米線的改性

竹節(jié)狀SiC納米線

B摻雜SiC納米線

碳納米管碳化硅納米線復(fù)合材料

碳化硅納米線(SiCNWs)修飾偶聯(lián)

超長(zhǎng)碳化硅(SiC)納米線

SiC納米線增強(qiáng)SiCf/SiC復(fù)合材料

C/SiC復(fù)合材料表面制備SiC納米線

定向排列的SiC納米線的復(fù)合材料薄片

六棱柱狀的SiC納米線

SiC納米線增強(qiáng)鋁碳化硅復(fù)合材料

碳/碳復(fù)合材料SiC納米線

SiC納米線摻雜SiOC陶瓷粉體

碳化硅納米線混雜增強(qiáng)鎢酸鋯/鋁復(fù)合材料

SiC納米線增強(qiáng)C/CSiCZrC陶瓷基復(fù)合材料

碳化硅納米線增強(qiáng)石墨-碳化硅復(fù)合材料

碳化硅納米線/碳纖維布復(fù)合材料

碳化硅納米線/石墨烯泡沫電磁波吸收復(fù)合材料

SiC納米線改性的CF/PI復(fù)合材料

具有表層網(wǎng)狀分布碳化硅納米線

SiC納米線改性C/C復(fù)合材料

ZrB_2/SiC復(fù)合材料SiC納米線增韌碳化硅納米線(SiCNW)

核殼SiC@SiO2 NWs

雙層石墨烯/碳化硅襯底上W6Te6范德華納米線

以上資料來(lái)自西安齊岳生物小編（zhn2021.03.01）