連續(xù)梯度帶隙單晶鈣鈦礦薄膜厚度約600nm到100μm
鈣鈦礦單晶器件生長(zhǎng)和制造的方法—溶液光刻輔助外延生長(zhǎng)和轉(zhuǎn)移策略,用于任意襯底上制備單晶雜化鈣鈦礦薄膜,同時(shí)并控制其厚度(從約600nm到100μm),面積(較大約5.5cm×5.5cm),以及厚度方向上的組成成分梯度(從MAPbI3到MAPb0.5Sn0.5I3)。
梯度單晶鈣鈦礦
該器件表現(xiàn)出了厚度依賴的機(jī)械柔性,通過(guò)鉛錫梯度合金形成梯度電子帶隙,提升了載流子遷移率并降低了載流子復(fù)合率。不僅表現(xiàn)出對(duì)濕、熱等降解因素的高穩(wěn)定性,而且還具有優(yōu)良的能源轉(zhuǎn)化效率(基于鉛-錫-梯度結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池平均效率為18.77%)。
近年來(lái),鈣鈦礦材料一直是備受各界關(guān)注的一類半導(dǎo)體材料,其獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu),載流子擴(kuò)散遷移特征,在光電催化、能源傳感等等諸多領(lǐng)域表現(xiàn)出了卓越的物理化學(xué)特性。這使得鈣鈦礦材料在例如太陽(yáng)能電池、光纖通信、LED等應(yīng)用領(lǐng)域占有**重要的地位,有望成為未來(lái)光電子器件的核心組成部分。
當(dāng)前,有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦由于其獨(dú)有的電子和光學(xué)特性,如高吸收系數(shù)、長(zhǎng)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度、帶隙可調(diào)等。使得其在許多器件應(yīng)用特別是柔性可拉伸器件中極具發(fā)展?jié)摿ΑS捎趩尉У娜∠蛐耘c遷移行為和較低的缺陷濃度的依賴性,使得單晶雜化鈣鈦礦比多晶相具有更好的載流子輸運(yùn)行為和更高的穩(wěn)定性。
然而,目前現(xiàn)有的許多方法多集中在多晶鈣鈦礦材料的研究上,在單晶雜化鈣鈦礦半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體制造工藝中實(shí)現(xiàn)制造厚度、形態(tài)面積和組成成分的同時(shí)控制上這一難題**具有挑戰(zhàn)性。
鈣鈦礦材料供應(yīng):
復(fù)合鈣鈦礦材料鈦酸鉍鈉-Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)
不同鐵摻雜水平的BaTi_(1-Z)Fe_ZO_3與Tb_(1-x)Dy_xFe_(2-y)層狀復(fù)合材料
Ta~(5+)摻雜的K_(2-x)La_2Ti_(3-x)Ta_xO_(10)(x=0.1-1.0)
米鈦酸鍶(SrTiO_3)和離子液體(ILs)復(fù)合修飾玻碳電極
鈦酸鍶(SrTiO3)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)金屬氧化物
上述產(chǎn)品僅用于科研,不可用于人體實(shí)驗(yàn)!
wyf 01.06