P型階梯摻雜4H-SiC多層薄膜同質外延的技術方法

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4H型SiC（4H-SiC）產品描述：

六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優良半導體材料，也是目前綜合性能比較好、商品化程度高、技術成熟的第三代半導體材料

P型階梯摻雜4H-SiC多層薄膜同質外延的基本信息

SiC外延膜實物圖：

碳化硼SiC的外延生長的方法包括以下幾種

1)化學氣相淀積CVD:（分為CVD和HTCVD高溫兩種）

2)升華或物理氣相傳輸法PVT（分為Lely熔法/LETI法和升華三明治法）

3)分子束外延MBE

4)液相外延LPE：（又包含Si溶劑和其他溶劑兩種）

化學氣相淀積CVD法是制造**外延結構的方法。反應器中的壓力可以通過氣體產生，低壓化學氣相淀積LPCVD，壓力為10~1000mbar，低壓可以減小氣相成核，SiC一般使用較為廣泛。這種方法的產量非常高。外延生長過程中，氣相Si和C的比例會影響生長速率、外延層的質量以及雜質的摻入，CVD的一個優勢便是可以在生長過程中很好地控制Si/C比。目前，對于SiC外延層仍然存在各種缺陷，從而對器件特性造成影響，所以針對SiC的外延生長工藝需要進行不斷的優化，同時整個SiC器件的生產工藝以及設備也是后期不斷關注的話題。

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