通過水輔助法CVD工藝制備在SiO2/Si襯底上快速生長單層石墨烯薄膜
西安齊岳生物可以提供各種進口或者國產的薄膜，尺寸可定制；各種基底以及外延的薄膜；品質高；有關技術資料歡迎咨詢。同時提供各種二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質結、薄膜（藍寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。
通過水輔助法CVD工藝制備在SiO2/Si襯底上快速生長單層石墨烯薄膜
通過化學氣相沉積（CVD）在介質基板上無金屬生長**單層石墨烯膜對于開發基于高性能石墨烯的電子和光電器件具有重要意義。然而，由于介質基板的催化活性很低（基本可以忽略不計），現有CVD工藝的結構均勻性（生長質量）差，生長速率緩慢。
近日,有課題組報告了一種水輔助法CVD工藝，可以在不使用金屬催化劑，不需要超高溫的條件下，在SiO2/Si襯底上快速生長出單層石墨烯薄膜。即使只有微量的水存在，也能夠形成結構缺陷明顯減少的優良石墨烯單層薄膜。
具體實驗過程：用丙酮和異丙醇依次沖洗SiO2/Si（SiO2的厚度為290nm）基板1小時，然后裝入水平熔融石英管（內徑為22mm）中, 在Ar中退火10分鐘以除去殘留的有機物質，然后將CH4 / H2的氣體混合物以流速為17.5 / 75sccm通入石英管中，用于石墨烯的生長。通過使用0~20sccm的Ar氣流將水蒸氣注入管中以輔助石墨烯的生長。生長后，關閉CH4 / H2氣流（和用于水輔助生長的Ar氣流）并在Ar中將樣品快速冷卻至室溫。
在SiO2 / Si襯底上水輔助CVD法生長石墨烯的示意圖。通過使用氬氣流將水蒸氣注入石英管中。水浴用于將水源的溫度保持在25℃。
水能夠同時提高石墨烯薄膜的結構均勻性和生長速率，可能因為其溫和的氧化作用和加速從SiO 2 / Si基底釋放氧的作用，并且通過降低生長動力學勢壘使單層石墨烯快速生長。這項工作為介質基板上**石墨烯的**可控CVD生長提供了有利基礎。
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以上資料來自西安齊岳生物小編（zhn2020.12.14）
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