超薄金屬銠（Rh）納米片層

由于金屬具有密堆積的晶體結(jié)構(gòu)，使得二維的納米尺度下的金屬片難以生成。制備出了超薄的金屬銠納米片，該方法有望推廣到更多的金屬納米片的生長(zhǎng)中去。隨著像石墨烯等厚度僅為原子尺度材料的出現(xiàn)，二維材料在諸如超薄電容、電池及**催化劑等柔性電子器件中的探索和應(yīng)用也越來(lái)越多。與石墨烯等其他具有層狀結(jié)構(gòu)的材料不同，金屬材料易于形成緊密堆積的三維結(jié)構(gòu)，不利于單層原子生長(zhǎng)，因而很難生成超薄的金屬納米片。近期，中國(guó)的研究人員利用一氧化碳限定技術(shù)，已經(jīng)成功地制備出了金屬銠（Rh）的超薄納米片層，其厚度小于1納米，且區(qū)域可控。

這一方法與該研究組此前用來(lái)生成金屬鈀納米片的方法相似。

將醋酸銠(II)和聚乙烯吡咯烷酮融入N,N-二甲基甲酰胺中，再加壓通入CO，隨后加熱到150°C，并保溫?cái)?shù)小時(shí)，而在此期間金屬銠納米片層便生成了。在生長(zhǎng)的初級(jí)階段，當(dāng)溫度達(dá)到150°C時(shí)，多重羰基化銠團(tuán)簇形成，其直徑為1-2納米。這些團(tuán)簇聚集起來(lái)形成納米片，降低了表面能。

制得的納米片具有大小一致的平行四邊形形狀，仍具有fcc晶體結(jié)構(gòu)，僅在（111）晶面沉積了3-5層。單個(gè)納米片的平均厚度為0.9納米，但已發(fā)現(xiàn)2-5個(gè)單個(gè)納米片可以以0.5納米的距離“聚集”在一起。

CO強(qiáng)烈地吸附在（111）晶面上，阻止了更多的羰基化銠團(tuán)簇在這一晶面吸附，阻止其沿[111]晶向生長(zhǎng)，限制了金屬銠三維結(jié)構(gòu)的形成。改變通入的CO氣體壓力，可以生成不同尺寸的納米片。使用0.5個(gè)、1個(gè)、1.5個(gè)和 2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓可分別得到長(zhǎng)邊邊長(zhǎng)為500、800、 1000 和1300納米的平行四邊形；但長(zhǎng)寬比在不同壓力下是相同的。

聚乙烯吡咯烷酮起到了表面活性劑的作用，同時(shí)在合成過(guò)程中，它像帽子似的保護(hù)了納米片，從而防止較早生成的納米片被覆蓋。這樣的“帶帽”是增強(qiáng)了還是降低了其催化活性還存在爭(zhēng)議。而對(duì)金屬銠納米片，在蒽（一種多環(huán)芳香烴）的選擇性加氫試驗(yàn)中“無(wú)帽”的納米片表現(xiàn)出了最高的催化活性。

有關(guān)金屬納米片生長(zhǎng)的機(jī)制同樣可應(yīng)用于除了銠和鈀以外的其他金屬。這不僅能使金屬納米片可靠且可控的生長(zhǎng)，同時(shí)也使關(guān)于表面限制對(duì)于表面活性在各種反應(yīng)中的影響的研究有啟發(fā)性意義。

產(chǎn)品供應(yīng)：

含納米Co的新型PDC復(fù)合片    

鋅鈷基氧硫化物納米片    

NiO/石墨烯納米片復(fù)合材料    

碲化物ZnAgInTe納米片    

鐵酸鉍Bi2Fe4O9單晶納米片    

薄片狀鉬酸鉍(Bi2MoO6)    

石墨烯-亞穩(wěn)態(tài)鈦酸鉍(Bi20TiO32)介孔納米片復(fù)合材料    

單晶Bi20TiO32納米片    

硫化鉍(Bi2S3)納米薄片和納米棒    

碳量子點(diǎn)(CQDs)修飾的硅酸鉍(Bi2SiO5)納米片光催化劑    

少層硒化鉍納米片及其納米金-硒化鉍復(fù)合材料    

Pt/Bi_(24)O_(31)Cl_(10)復(fù)合納米片    

碳量子點(diǎn)(CQDs)修飾的硅酸鉍(Bi_2SiO_5)納米片光催化劑    

鈮酸鹽納米片(Nb6017-NS)    

橢圓形片狀的納米級(jí)磷酸氫鍶(SrHPO4)粉末    

多孔氧化鋅(ZnO)納米片和銠(Rh)摻雜納米氧化鋅    

超薄銠納米片負(fù)載于CeO2復(fù)合材料    

銪摻雜的氧化釔納米片(Y_2O_3:Eu~(3+))    

CoO氧化鈷/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

片狀氧化鈷二維層狀碳化鈦復(fù)合材料    

納米片層狀氫氧化鈷/泡沫鎳復(fù)合材料    

片棒狀CoO/石墨烯復(fù)合材料    

二氧化錳MnO2/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

超薄MnO2與Ti3C2納米片復(fù)合材料    

片狀碳化鈦負(fù)載二氧化錳復(fù)合材料    

層狀二氧化錳納米片和石墨烯復(fù)合電極材料    

二氧化錳納米片NafionMb多層復(fù)合超薄膜    

銀復(fù)合二氧化錳納米片Ag-MnO2NS    

聚乙烯亞胺/二氧化錳納米片多層復(fù)合薄膜    

納米氧化鎳NI2O3/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

多孔片層狀鎳鈷雙金屬氧化物材料    

NiO納米晶/納米片    

氧化鉭TaO/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

納米氧化鉍（BI2O3）/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

Zn摻雜二維層狀δ-Bi2O3納米片    

類片狀納米氧化鉍    

C/N摻雜β?Bi2O3納米片    

五氧化二鉭Ta2O5/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鍶SrO/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鈮NbO/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鋇BaO/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

二氧化鉿HfO2/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化錸ReO/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鋨OsO/薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化銥IrO2薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鉈TlO薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化釙Po薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鐳RaO薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鏌McO薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鉨NhO薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鑭LaO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鈰CeO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

Ti_3C_2及片狀CeO_2/Ti_3C_2    

片狀CeO_2/Ti_3C_2納米復(fù)合材料    

氧化亞銅納米片陣列和氧化鈰納米薄膜    

氧化鐠PrO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化釹NdO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化釤SmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化銪EuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化釓GdO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鋱TbO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鏑DyO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鈥HoO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鉺Er晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化銩TmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鐿YbO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化镥LuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化錒AcO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化釷ThO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鏷PaO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鈾UO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化镎NpO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化钚PuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化镅AmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鋦CmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化锫Bk晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化锎晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鍺GeO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化鉻CrO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化銠RhO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化釕RuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復(fù)合材料    

氧化釕/石墨納米片復(fù)合陣列    

碲化銻Sb2Te3二維薄片    

摻雜型二維Cr2Te3納米片材料    

n-型碲化鉛PbTe納米片    

摻雜誘導(dǎo)納米晶的Bi/Ag-PbTe多孔納米片    

CdTeHg碲鎘汞單晶體/晶片    

Bi2Te3碲化鉍納米片    

負(fù)載鈷鎳鉬顆粒的碲化鈷納米片    

表面氫修飾的硫化鈦超薄納米片    

S摻雜的NiTe(NiTe:S)納米片    

上述產(chǎn)品僅用于科研，不可用于人體實(shí)驗(yàn)！

wyf 11.17