硼烯線缺陷的混合和周期性自組裝
原子稀薄限制內的直接合成途徑使2D材料不會在塊體8中分層。理論計算預測,在另外的三角晶格具有相似的形成能,但中空六邊形(HHS)的不同布置的多個可能borophene多晶型3,4,5。
圖1a顯示了硼在UHV中的Ag(111)上沉積后的亞單層氮烯的STM圖像。明亮的點對應于通常存在作為少數物種borophene生長后的小顆粒硼1,2,13。由于STM成像的地形和電子結構的卷積,所述borophene島嶼顯示為這些成像條件下的凹陷,與先前的報道一致1,2,13。對于沉積在表面21和氮化金屬表面22上的金屬的亞單層覆蓋,還觀察到原子薄島結構。
但是,這些島要么是與基底的合金,要么是與基底共價鍵合的,這與硼烯和銀基底之間較弱的非共價相互作用不同。在STS(d I / d V)圖(圖1b)中,同一區域的borophene島被更清楚地區分為亮域。在440至470°C的底物生長溫度下,始終觀察到兩個不同的硼烯相,分別對應于HH濃度為v = ?1/6和1/5的v 1/6和v 1/5結構(v = n / N,其中????是戶對一否則三角晶格的數目?晶格位點)1,2,13。補充圖1給出了硼烷在更寬的溫度范圍內生長的溫度相關性,該圖顯示了隨著生長溫度從350°增加到500°,硼烷從v 1/6到v 1/5的逐漸過渡。C。DFT計算顯示這兩個相具有相似的化學勢,因此具有相似的熱穩定性(v 1/ 6,-6.359 eV原子–1;v 1/ 5,-6.357 eV原子–1(補充圖2)),與先前的研究一致3,4。
圖1:原始的硼烷在Ag(111)薄膜上的生長。
a,b,生長在Ag(111)上的硼苯的態密度(DOS)的大規模STM形貌(a)和STS圖(b)。c,d,v 1/6(c)和v 1/5(d)硼芬片的原子分辨率STM圖像,行間距分別為0.54±0.03 nm和0.45±0.02 nm。e,在v 1/6和v 1/5硼芬片的不同位置拍攝的六個STS光譜顯示出金屬行為。f,g,B 1的原位XPS光譜s(f)和O 1 s(g)的核心水平表明原始的硼烷生長。STM偏置電壓(V s)在a和b中為–1 V,在c中為–0.35 V,在d中為–1.2V 。au。
圖2a顯示了STM形貌的空間導數圖(圖2b),該圖更清楚地顯示出較大的borophene島由v 1/6和v 1/5薄片組成,藍色和紅色表示各自的線缺陷箭頭(輔助圖3中提供了放大的圖像以支持此分配)。在該線缺陷v 1/6片類似于的磚壁結構v 1/5片,這表明相邊界的分配。該相混合示意性地顯示在圖2c中,其中v 1/6v 1/5和v 1/5分別被涂成紅色和藍色,相應的線缺陷被涂成藍色和紅色。這些線缺陷的其他圖像在補充圖4中提供。盡管線缺陷的密度相對較高,但在300 K處相同區域的STS映射顯示出最小的對比度(圖2d)。DFT計算證實了線缺陷的金屬性質(補充圖5),這意味著在室溫下對金屬硼苯的電子性能的影響最小。
圖2:硼苯中存在線缺陷。
a,b,borophene島的STM形貌(b)的派生圖像(a)顯示出平行線缺陷的存在。的v 1/6和v 1/5 borophene區標記,和它們各自的線缺陷是由藍色和紅色箭頭頭部指出。c,基于a中的圖像,在v 1/6(紅色)和v 1/5(藍色)硼苯甲結構域中線缺陷的分布的示意圖。線缺陷的顏色相反。d,相同區域的STS圖顯示了在borophene片內的最小電子對比度。V s ?= –0.65 V in b和d。
原子分辨的STM圖像如圖3a,b所示,其中v 1/6和v 1/5的線缺陷分別由藍色和紅色箭頭指示。在線缺陷v 1/6(v 1/5)片材由交錯(對齊)藍色(紅色)所示矩形表示3A,3B,和表明線缺陷在v 1/6域類似于單元的v 1/5片,反之亦然。此外,線缺陷在v 1/6和v 1/5中的行間間距薄板為0.45±0.02 nm(表示為d 2)和0.54±0.03 nm(表示為d 1),與v 1/5和v 1/6薄板相匹配。
產品供應列表:
產品名稱 | CAS號 |
Ti3C2-MXenes | 12316-56-2 |
Ti3C2 透明 薄膜 | 12316-56-2 |
錳離子插層MXene Ti3C2 | 12316-56-2 |
超大尺寸的Ti3C2納米片(>10μm) | 12316-56-2 |
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多層Ti3C2 mxene原位負載納米銀 | 12316-56-2 |
S原位摻雜mxene | 12316-56-2 |
單層膠體溶液 Ti3C2 MXenes材料 | 12316-56-2 |
自支撐膜材料 Ti3C2 MXenes材料 | 12316-56-2 |
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風琴狀Ti2C MXenes材料 | 12316-56-2 |
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單層Nb2C 膠體水溶液 -MXenes材料 - 50ml | 12316-56-2 |
風琴狀Ta2C-MXenes材料 | 12316-56-2 |
風琴狀V4C3 MXenes材料 | 12316-56-2 |
風琴狀Ta4C3 MXenes材料 | 12316-56-2 |
氮摻雜mxenes | 12316-56-2 |
氮化mxene Ti2C-N | 12316-56-2 |
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多層全氯基團MXene | 12316-56-2 |
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多層全氯Ti2C材料- MXene | 12316-56-2 |
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多層全氯Ti3C2材料- MXene | 12316-56-2 |
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全羥基MXene—Ti2C | 12316-56-2 |
全羥基MXene—Ti3C2 | 12316-56-2 |
全羥基MXene—Nb2C | 12316-56-2 |
單層mxene材料 | 12316-56-2 |
單層Ti2SnC 膠體水溶液 -MXene材料 | 12316-56-2 |
單層膠體水溶液 Nb2C MXenes材料 | 12316-56-2 |
單層V2C膠體水溶液 -MXenes材料 | 12316-56-2 |
單層Ti3C2 乙醇 膠體 | 12316-56-2 |
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單層材料粉末 Ti2C MXenes材料 | 12316-56-2 |
Co 原位摻雜 Ti3ALC2 材料 | 12316-56-2 |
Fe原位摻雜 Ti3AlC2 材料 | 12316-56-2 |
Mn原位摻雜 Ti3ALC2 材料 | 12316-56-2 |
S原位摻雜Ti3AlC2 MAX材料 | 12316-56-2 |
球形Ti3AlC2-MAX材料 | 12316-56-2 |
Cu原位摻雜 Ti3alC2 材料 | 12316-56-2 |
MAX 靶材 | 12316-56-2 |
Ti3siC2 max相靶材 | 12316-56-2 |
Ti3alC2 max相靶材 | 12316-56-2 |
Ti3AlC2/Cr2AlC靶材 厚度3-5mm | 12316-56-2 |
Ti3AlC2-MAX | 12316-56-2 |
99.7% TI3AlC2 粉末材料 | 12316-56-2 |
Ti3AlC2 MAX材料 | 12316-56-2 |
V4AlC3-MAX 材料 | 12316-56-2 |
Ta4AlC3-MAX 材料 | 12316-56-2 |
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V2AlC-MAX材料 | 12316-56-2 |
Mn3AlC2-MAX 材料 | 12316-56-2 |
Ti3SiC2-MAX材料 | 12316-56-2 |
TiVAlC-MAX 材料 | 12316-56-2 |
ScAl3C3-MAX 材料 | 12316-56-2 |
Ti4AlN3-MAX材料 | 12316-56-2 |
mxene墨水 | 12316-56-2 |
MXene 粘性水性油墨 | 12316-56-2 |
mxene改性導柔性印刷電路導電高附著力好 | 12316-56-2 |
泡沫ni負載mxene | 12316-56-2 |
泡沫鎳負載mxene-v2c | 12316-56-2 |
泡沫鎳負載mxene-nb2c | 12316-56-2 |
泡沫鎳負載mxene-Ti3C2 | 12316-56-2 |
類mxene風琴狀TMDS-Ti2Se | 12316-56-2 |
MXene氣凝膠 | 12316-56-2 |
MAX相陶瓷Ti3AlC2 | 12316-56-2 |
三元層狀陶瓷Ti2SnC MAX相化合物 | 12316-56-2 |
Ti3SiC2 陶瓷MAX相化合物 | 12316-56-2 |
Ti2AlC陶瓷MAX相化合物 | 12316-56-2 |
Nb4AlC3陶瓷MAX材料 | 12316-56-2 |
Ti2SC陶瓷MAX相材料 | 12316-56-2 |
Cr2AlC 陶瓷MAX相薄膜材料 | 12316-56-2 |
MAX相Ti3SiC2材料 | 12316-56-2 |
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wyf 11.11