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硼烯線缺陷的混合和周期性自組裝
發布時間:2020-11-11     作者:wyf   分享到:

硼烯線缺陷的混合和周期性自組裝

原子稀薄限制內的直接合成途徑使2D材料不會在塊體8中分層。理論計算預測,在另外的三角晶格具有相似的形成能,但中空六邊形(HHS)的不同布置的多個可能borophene多晶型345

1a顯示了硼在UHV中的Ag111)上沉積后的亞單層氮烯的STM圖像。明亮的點對應于通常存在作為少數物種borophene生長后的小顆粒硼1213。由于STM成像的地形和電子結構的卷積,所述borophene島嶼顯示為這些成像條件下的凹陷,與先前的報道一致1213。對于沉積在表面21和氮化金屬表面22上的金屬的亞單層覆蓋,還觀察到原子薄島結構。

但是,這些島要么是與基底的合金,要么是與基底共價鍵合的,這與硼烯和銀基底之間較弱的非共價相互作用不同。在STSd I / d V)圖(圖1b)中,同一區域的borophene島被更清楚地區分為亮域。在440470°C的底物生長溫度下,始終觀察到兩個不同的硼烯相,分別對應于HH濃度為v = ?1/61/5v 1/6v 1/5結構(v = n / N,其中????是戶對一否則三角晶格的數目?晶格位點)1213。補充圖1給出了硼烷在更寬的溫度范圍內生長的溫度相關性,該圖顯示了隨著生長溫度從350°增加到500°,硼烷從v 1/6v 1/5的逐漸過渡。CDFT計算顯示這兩個相具有相似的化學勢,因此具有相似的熱穩定性(v 1/ 6-6.359 eV原子–1v 1/ 5-6.357 eV原子–1(補充圖2)),與先前的研究一致34

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1:原始的硼烷在Ag111)薄膜上的生長。

a,b,生長在Ag111)上的硼苯的態密度(DOS)的大規模STM形貌(a)和STS圖(b)。cdv 1/6c)和v 1/5d)硼芬片的原子分辨率STM圖像,行間距分別為0.54±0.03 nm0.45±0.02 nme,在v 1/6v 1/5硼芬片的不同位置拍攝的六個STS光譜顯示出金屬行為。fgB 1的原位XPS光譜sf)和O 1 sg)的核心水平表明原始的硼烷生長。STM偏置電壓(V s)在ab中為–1 V,在c中為–0.35 V,在d中為–1.2V au

2a顯示了STM形貌的空間導數圖(圖2b),該圖更清楚地顯示出較大的borophene島由v 1/6v 1/5薄片組成,藍色和紅色表示各自的線缺陷箭頭(輔助圖3中提供了放大的圖像以支持此分配)。在該線缺陷v 1/6片類似于的磚壁結構v 1/5片,這表明相邊界的分配。該相混合示意性地顯示在圖2c中,其中v 1/6v 1/5v 1/5分別被涂成紅色和藍色,相應的線缺陷被涂成藍色和紅色。這些線缺陷的其他圖像在補充圖4中提供。盡管線缺陷的密度相對較高,但在300 K處相同區域的STS映射顯示出最小的對比度(圖2d)。DFT計算證實了線缺陷的金屬性質(補充圖5),這意味著在室溫下對金屬硼苯的電子性能的影響最小。

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2:硼苯中存在線缺陷。

a,bborophene島的STM形貌(b)的派生圖像(a)顯示出平行線缺陷的存在。的v 1/6v 1/5 borophene區標記,和它們各自的線缺陷是由藍色和紅色箭頭頭部指出。c,基于a中的圖像,在v 1/6(紅色)和v 1/5(藍色)硼苯甲結構域中線缺陷的分布的示意圖。線缺陷的顏色相反。d,相同區域的STS圖顯示了在borophene片內的最小電子對比度。V s ?= –0.65 V in bd

原子分辨的STM圖像如圖3ab所示,其中v 1/6v 1/5的線缺陷分別由藍色和紅色箭頭指示。在線缺陷v 1/6v 1/5)片材由交錯(對齊)藍色(紅色)所示矩形表示3A3B,和表明線缺陷在v 1/6域類似于單元的v 1/5片,反之亦然。此外,線缺陷在v 1/6v 1/5中的行間間距薄板為0.45±0.02 nm(表示為d 2)和0.54±0.03 nm(表示為d 1),與v 1/5v 1/6薄板相匹配。

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產品供應列表:

產品名稱

CAS號

Ti3C2-MXenes

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Ti3C2 透明 薄膜

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錳離子插層MXene Ti3C2

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超大尺寸的Ti3C2納米片(>10μm)

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氮化多層Ti3C2

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多層Ti3C2 mxene原位負載納米銀

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S原位摻雜mxene

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單層膠體溶液 Ti3C2 MXenes材料

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自支撐膜材料 Ti3C2 MXenes材料

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單層大尺寸(>5微米)Ti3C2 -mxene 膠體溶液

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單層小尺寸(小于100nm) Ti3C2 水溶液

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單層Ti3C2 乙醇 膠體溶液

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Ti3C2 MXenes材料 單層膠體DMF溶液

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黏土材料 Ti3C2 MXenes材料

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風琴狀Ti3C2 MXenes材料

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 Ti2C-MXenes

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超大尺寸的Ti2C納米片(>10μm)

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Ti2C MXenes材料 單層膠體DMF溶液

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單層小尺寸(小于100nm) Ti2C 水溶液

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單層大尺寸(>5微米)Ti2C -mxene 膠體溶液

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單層Ti2C 乙醇 膠體溶液

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單層膠體溶液 Ti2C MXenes材料

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風琴狀Ti2C MXenes材料

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Mo3C2-MXenes材料

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Cr2C-MXenes材料

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V2C-MXenes

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超大尺寸的V2C納米片(>10μm)

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V2C MXenes材料 單層膠體DMF溶液

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單層小尺寸(小于100nm)V2C水溶液

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單層大尺寸(>5微米)V2C -mxene 膠體溶液

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單層V2C 乙醇 膠體溶液

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單層V2C 膠體水溶液 -MXenes材料

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風琴狀V2C MXenes材料

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Nb4C3-MXenes 材料

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Ti2N-Mxenes材料

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 Nb2C-MXenes

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超大尺寸的Nb2C納米片(>10μm)

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Nb2C MXenes材料 單層膠體DMF溶液

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單層Nb2C 乙醇 膠體溶液

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單層小尺寸(小于100nm) Nb2C 水溶液

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單層大尺寸(>5微米)Nb2C -mxene 膠體溶液

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風琴狀Nb2C MXenes材料

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單層Nb2C 膠體水溶液 -MXenes材料 - 50ml

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風琴狀Ta2C-MXenes材料

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風琴狀V4C3 MXenes材料

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風琴狀Ta4C3 MXenes材料

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氮摻雜mxenes

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氮化mxene Ti2C-N

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氮化mxene Nb2C-n

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氮化mxene V2C-N

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氮化mxene Ti3C2-N

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多層全氯基團MXene

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多層全氯V2C材料- MXene

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多層全氯Ti2C材料- MXene

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多層全氯Nb2C材料- MXene

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多層全氯Ti3C2材料- MXene

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MXene柔性薄膜

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MXene復合高導電

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MXeneTi3C2復合納米銀線薄膜

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MXene 50% V2C薄膜

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MXene 50% Ti3C2薄膜

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MXene Ti2C薄膜

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MXene Ti3C2薄膜

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MXene V2C薄膜

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MXene Ti3C2Tx柔性膜

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MXene復合納米碳薄膜

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全羥基基團MXene

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全羥基MXene—V2C

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全羥基MXene—Ti2C

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全羥基MXene—Ti3C2

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全羥基MXene—Nb2C

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單層mxene材料

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單層Ti2SnC 膠體水溶液 -MXene材料

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單層膠體水溶液 Nb2C MXenes材料

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單層V2C膠體水溶液 -MXenes材料

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單層Ti3C2 乙醇 膠體

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單層Ti3C2 DMF 膠體溶液

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單層材料粉末 Ti2C MXenes材料

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Co 原位摻雜 Ti3ALC2 材料

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Fe原位摻雜 Ti3AlC2 材料

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Mn原位摻雜 Ti3ALC2 材料

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S原位摻雜Ti3AlC2 MAX材料

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球形Ti3AlC2-MAX材料

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Cu原位摻雜 Ti3alC2 材料

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MAX 靶材

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Ti3siC2 max相靶材

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Ti3alC2 max相靶材

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Ti3AlC2/Cr2AlC靶材 厚度3-5mm

12316-56-2

Ti3AlC2-MAX

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99.7% TI3AlC2 粉末材料

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Ti3AlC2 MAX材料

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V4AlC3-MAX 材料

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Ta4AlC3-MAX 材料

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Ta2AlC-MAX 材料

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Cr2AlC-MAX 材料

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Ti3AlCN-MAX 材料

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Ti2AlN-MAX 材料

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Nb4AlC3-MAX 材料

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Mo2Ti2AlC3-MAX 材料

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Mo2Ga2C-MAX 材料

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Nb2AlC3-MAX材料

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MoAlB-MAX 材料

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Mo2TiAlC2- MAX 材料

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Ti2AlC-MAX 材料

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Ti2SnC-MAX 材料

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Ti3GeC2-MAX材料

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Mo3AlC2-MAX材料

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 Mn2AlC-MAX 材料

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Nb2AlC-MAX 材料

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V2AlC-MAX材料

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 Mn3AlC2-MAX 材料

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Ti3SiC2-MAX材料

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 TiVAlC-MAX 材料

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ScAl3C3-MAX 材料

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Ti4AlN3-MAX材料

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 mxene墨水

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MXene 粘性水性油墨

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mxene改性導柔性印刷電路導電高附著力好

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泡沫ni負載mxene

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泡沫鎳負載mxene-v2c

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泡沫鎳負載mxene-nb2c

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泡沫鎳負載mxene-Ti3C2

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類mxene風琴狀TMDS-Ti2Se

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MAX相陶瓷Ti3AlC2

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Ti3SiC2 陶瓷MAX相化合物

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Ti2AlC陶瓷MAX相化合物

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Nb4AlC3陶瓷MAX材料

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Ti2SC陶瓷MAX相材料

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Cr2AlC 陶瓷MAX相薄膜材料

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MAX相Ti3SiC2材料  

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1.銷售價格低廉(大部分產品價格是國外的50%甚至更低)

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wyf 11.11

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